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IGB20N65S5

High speed switching series fifth generation

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Infineon

英飞凌

IGB20N65S5

650 V、20 A IGBT,带反并联二极管,采用 TO263 封装

Infineon

英飞凌

包装:卷带(TR)剪切带(CT)Digi-Reel® 得捷定制卷带 描述:IGBT PRODUCTS 分立半导体产品 晶体管 - UGBT、MOSFET - 单

Infineon

英飞凌

更新时间:2026-1-2 10:07:00
IC供应商 芯片型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
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