型号 功能描述 生产厂家 企业 LOGO 操作

128K x 36, 256K x 18 3.3V Synchronous SRAMs 3.3V I/O, Pipelined Outputs Burst Counter, Single Cycle Deselect

Features ◆ 128K x 36, 256K x 18 memory configurations ◆ Supports high system speed: Commercial and Industrial: – 150MHz 3.8ns clock access time – 133MHz 4.2ns clock access time ◆ LBO input selects interleaved or linear burst mode ◆ Self-timed write cycle with global write control (GW), byte

RENESAS

瑞萨

3.3V Synchronous SRAMs 3.3V I/O, Pipelined Outputs Burst Counter, Single Cycle Deselect

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IDT

IDT71V3578S133PFGI8产品属性

  • 类型

    描述

  • 型号

    IDT71V3578S133PFGI8

  • 功能描述

    IC SRAM 4MBIT 133MHZ 100TQFP

  • RoHS

  • 类别

    集成电路(IC) >> 存储器

  • 系列

    -

  • 标准包装

    2,000

  • 系列

    MoBL® 格式 -

  • 存储器

    RAM

  • 存储器类型

    SRAM - 异步

  • 存储容量

    16M(2M x 8,1M x 16)

  • 速度

    45ns

  • 接口

    并联

  • 电源电压

    2.2 V ~ 3.6 V

  • 工作温度

    -40°C ~ 85°C

  • 封装/外壳

    48-VFBGA

  • 供应商设备封装

    48-VFBGA(6x8)

  • 包装

    带卷(TR)

更新时间:2025-11-24 16:30:02
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