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IDT71V256SA15YG8

Lower Power 3.3V CMOS Fast SRAM 256K (32K x 8-Bit)

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IDT

Lower Power 3.3V CMOS Fast SRAM 256K (32K x 8-Bit)

Features ◆ Ideal for high-performance processor secondary cache ◆ Commercial (0°C to +70°C) and Industrial (–40°C to +85°C) temperature range options ◆ Fast access times: – Commercial and Industrial: 12/15/20ns ◆ Low standby current (maximum): – 2mA full standby ◆ Small packages for space-

RENESAS

瑞萨

IDT71V256SA15YG8产品属性

  • 类型

    描述

  • 型号

    IDT71V256SA15YG8

  • 功能描述

    IC SRAM 256KBIT 15NS 28SOJ

  • RoHS

  • 类别

    集成电路(IC) >> 存储器

  • 系列

    -

  • 标准包装

    60

  • 系列

    - 格式 -

  • 存储器

    EEPROMs - 串行

  • 存储器类型

    EEPROM

  • 存储容量

    16K(2K x 8)

  • 速度

    2MHz

  • 接口

    SPI 3 线串行

  • 电源电压

    2.5 V ~ 5.5 V

  • 工作温度

    -40°C ~ 85°C

  • 封装/外壳

    8-DIP(0.300,7.62mm)

  • 供应商设备封装

    8-PDIP

  • 包装

    管件

  • 产品目录页面

    1449(CN2011-ZH PDF)

更新时间:2025-11-23 15:22:00
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