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位置：首页 > IC中文资料第4669页 > IDT71V256SA10Y

型号 功能描述 生产厂家&企业 LOGO 操作
IDT71V256SA10Y

LOWPOWER3.3VCMOSFASTSRAM256K(32Kx8-BIT)

DESCRIPTION TheIDT71V256SAisa262,144-bithigh-speedstaticRAMorganizedas32Kx8.ItisfabricatedusingIDT’shigh-performance,high-reliabilityCMOStechnology. FEATURES •Idealforhigh-performanceprocessorsecondarycache •Commercial(0°to70°C)andIndustrial(-40°to85°C)

IDTIntegrated Device Technology, Inc.

集成器深圳市集成器件技术有限公司

IDT
IDT71V256SA10Y

封装/外壳：28-BSOJ（0.300"，7.62mm 宽） 包装：卷带（TR） 描述：IC SRAM 256KBIT PARALLEL 28SOJ 集成电路（IC） 存储器

RENESASRenesas Electronics America

瑞萨瑞萨科技有限公司

RENESAS
IDT71V256SA10YG

封装/外壳：28-BSOJ（0.300"，7.62mm 宽） 包装：管件 描述：IC SRAM 256KBIT PARALLEL 28SOJ 集成电路（IC） 存储器

RENESASRenesas Electronics America

瑞萨瑞萨科技有限公司

RENESAS
IDT71V256SA10YG8

LowerPower3.3VCMOSFastSRAM256K(32Kx8-Bit)

文件：478.03 Kbytes Page：8 Pages

IDTIntegrated Device Technology, Inc.

集成器深圳市集成器件技术有限公司

IDT
IDT71V256SA10YGI8

LowerPower3.3VCMOSFastSRAM256K(32Kx8-Bit)

文件：478.03 Kbytes Page：8 Pages

IDTIntegrated Device Technology, Inc.

集成器深圳市集成器件技术有限公司

IDT
IDT71V256SA10PZ

LOWPOWER3.3VCMOSFASTSRAM256K(32Kx8-BIT)

DESCRIPTION TheIDT71V256SAisa262,144-bithigh-speedstaticRAMorganizedas32Kx8.ItisfabricatedusingIDT’shigh-performance,high-reliabilityCMOStechnology. FEATURES •Idealforhigh-performanceprocessorsecondarycache •Commercial(0°to70°C)andIndustrial(-40°to85°C)

IDTIntegrated Device Technology, Inc.

集成器深圳市集成器件技术有限公司

IDT
IDT71V256SA10TP

LOWPOWER3.3VCMOSFASTSRAM256K(32Kx8-BIT)

DESCRIPTION TheIDT71V256SAisa262,144-bithigh-speedstaticRAMorganizedas32Kx8.ItisfabricatedusingIDT’shigh-performance,high-reliabilityCMOStechnology. FEATURES •Idealforhigh-performanceprocessorsecondarycache •Commercial(0°to70°C)andIndustrial(-40°to85°C)

IDTIntegrated Device Technology, Inc.

集成器深圳市集成器件技术有限公司

IDT

IDT71V256SA10Y产品属性

  • 类型

    描述

  • 型号

    IDT71V256SA10Y

  • 功能描述

    IC SRAM 256KBIT 10NS 28SOJ

  • RoHS

    否

  • 类别

    集成电路(IC) >> 存储器

  • 系列

    -

  • 产品变化通告

    Product Discontinuation 05/Nov/2008

  • 标准包装

    84

  • 系列

    - 格式 -

  • 存储器

    RAM

  • 存储器类型

    SRAM - 同步 ZBT

  • 存储容量

    4.5M（128K x 36）

  • 速度

    75ns

  • 接口

    并联

  • 电源电压

    3.135 V ~ 3.465 V

  • 工作温度

    -40°C ~ 85°C

  • 封装/外壳

    119-BGA

  • 供应商设备封装

    119-PBGA（14x22）

  • 包装

    托盘

  • 其它名称

    71V3557SA75BGI

IDT71V256SA10Y供应商更多...

更新时间：2024-6-3 19:03:00
IC供应商 芯片型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
深圳市汇莱威科技有限公司
IDT71V256SA10Y
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