型号 功能描述 生产厂家 企业 LOGO 操作

128K x 36 3.3V Synchronous ZBT™ SRAMs 2.5V I/O, Burst Counter Pipelined Outputs

Features ◆ 128K x 36 memory configurations ◆ Supports high performance system speed - 166 MHz (3.5 ns Clock-to-Data Access) ◆ ZBTTM Feature - No dead cycles between write and read cycles ◆ Internally synchronized output buffer enable eliminates the need to control OE ◆ Single R/W (READ/WRI

RENESAS

瑞萨

IDT71V2556SA133BGI8产品属性

  • 类型

    描述

  • 型号

    IDT71V2556SA133BGI8

  • 功能描述

    IC SRAM 4MBIT 133MHZ 119BGA

  • RoHS

  • 类别

    集成电路(IC) >> 存储器

  • 系列

    -

  • 标准包装

    2,000

  • 系列

    MoBL® 格式 -

  • 存储器

    RAM

  • 存储器类型

    SRAM - 异步

  • 存储容量

    16M(2M x 8,1M x 16)

  • 速度

    45ns

  • 接口

    并联

  • 电源电压

    2.2 V ~ 3.6 V

  • 工作温度

    -40°C ~ 85°C

  • 封装/外壳

    48-VFBGA

  • 供应商设备封装

    48-VFBGA(6x8)

  • 包装

    带卷(TR)

更新时间:2025-11-22 23:00:02
IC供应商 芯片型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
RENESAS(瑞萨)/IDT
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PBGA119(14x22)
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