型号 功能描述 生产厂家 企业 LOGO 操作

512K x 36, 1M x 18 2.5V Synchronous ZBT™ SRAMs 2.5V I/O, Burst Counter Pipelined Outputs

Features ◆ 512K x 36, 1M x 18 memory configurations ◆ Supports high performance system speed - 200 MHz (3.2 ns Clock-to-Data Access) ◆ ZBTTM Feature - No dead cycles between write and read cycles ◆ Internally synchronized output buffer enable eliminates the need to control OE ◆ Single R/W

RENESAS

瑞萨

2.5V Synchronous ZBT SRAMs I/O, Burst Counter Pipelined Outputs

文件:260.17 Kbytes Page:26 Pages

IDT

IDT71T75802S150BG8产品属性

  • 类型

    描述

  • 型号

    IDT71T75802S150BG8

  • 功能描述

    IC SRAM 18MBIT 150MHZ 119BGA

  • RoHS

  • 类别

    集成电路(IC) >> 存储器

  • 系列

    -

  • 标准包装

    45

  • 系列

    - 格式 -

  • 存储器

    RAM

  • 存储器类型

    SRAM - 双端口,异步

  • 存储容量

    128K(8K x 16)

  • 速度

    15ns

  • 接口

    并联

  • 电源电压

    3 V ~ 3.6 V

  • 工作温度

    0°C ~ 70°C

  • 封装/外壳

    100-LQFP

  • 供应商设备封装

    100-TQFP(14x14)

  • 包装

    托盘

  • 其它名称

    70V25S15PF

更新时间:2025-11-6 22:59:02
IC供应商 芯片型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
RENESAS(瑞萨)/IDT
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