型号 功能描述 生产厂家 企业 LOGO 操作
IDT70V7319S166DD

HIGH-SPEED 3.3V 256K x 18 SYNCHRONOUS BANK-SWITCHABLE DUAL-PORT STATIC RAM WITH 3.3V OR 2.5V INTERFACE

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IDT

IDT70V7319S166DD

封装/外壳:144-LQFP 裸露焊盘 包装:卷带(TR) 描述:IC SRAM 4.5MBIT PARALLEL 144TQFP 集成电路(IC) 存储器

ETC

知名厂家

封装/外壳:144-LQFP 裸露焊盘 包装:卷带(TR) 描述:IC SRAM 4.5MBIT PARALLEL 144TQFP 集成电路(IC) 存储器

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HIGH-SPEED 3.3V 256K x 18 SYNCHRONOUS BANK-SWITCHABLE DUAL-PORT STATIC RAM WITH 3.3V OR 2.5V INTERFACE

Features: ◆ 256K x 18 Synchronous Bank-Switchable Dual-ported SRAM Architecture – 64 independent 4K x 18 banks – 4 megabits of memory on chip ◆ Bank access controlled via bank address pins ◆ High-speed data access – Commercial: 3.4ns (200MHz)/3.6ns (166MHz)/ 4.2ns (133MHz) (max.) – Indust

RENESAS

瑞萨

HIGH-SPEED 3.3V 256K x 18 SYNCHRONOUS BANK-SWITCHABLE DUAL-PORT STATIC RAM WITH 3.3V OR 2.5V INTERFACE

Features: ◆ 256K x 18 Synchronous Bank-Switchable Dual-ported SRAM Architecture – 64 independent 4K x 18 banks – 4 megabits of memory on chip ◆ Bank access controlled via bank address pins ◆ High-speed data access – Commercial: 3.4ns (200MHz)/3.6ns (166MHz)/ 4.2ns (133MHz) (max.) – Indust

RENESAS

瑞萨

HIGH-SPEED 3.3V 256K x 18 SYNCHRONOUS BANK-SWITCHABLE DUAL-PORT STATIC RAM

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IDT70V7319S166DD产品属性

  • 类型

    描述

  • 型号

    IDT70V7319S166DD

  • 功能描述

    IC SRAM 4MBIT 166MHZ 144TQFP

  • RoHS

  • 类别

    集成电路(IC) >> 存储器

  • 系列

    -

  • 产品变化通告

    Product Discontinuation 26/Apr/2010

  • 标准包装

    136

  • 系列

    - 格式 -

  • 存储器

    RAM

  • 存储器类型

    SRAM - 同步,DDR II

  • 存储容量

    18M(1M x 18)

  • 速度

    200MHz

  • 接口

    并联

  • 电源电压

    1.7 V ~ 1.9 V

  • 工作温度

    0°C ~ 70°C

  • 封装/外壳

    165-TBGA

  • 供应商设备封装

    165-CABGA(13x15)

  • 包装

    托盘

  • 其它名称

    71P71804S200BQ

更新时间:2025-10-18 15:08:00
IC供应商 芯片型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
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IDT, Integrated Device Techno
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