型号 功能描述 生产厂家&企业 LOGO 操作
IDT70V631S12BFI

HIGH-SPEED 3.3V 256K x 18 ASYNCHRONOUS DUAL-PORT STATIC RAM

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IDT

Integrated Device Technology, Inc.

HIGH-SPEED 3.3V 256K x 18 ASYNCHRONOUS DUAL-PORT STATIC RAM

Features ◆ True Dual-Port memory cells which allow simultaneous access of the same memory location ◆ High-speed access – Commercial: 10/12/15ns (max.) – Industrial: 12ns (max.) ◆ Dual chip enables allow for depth expansion without external logic ◆ IDT70V631 easily expands data bus width to

RENESAS

瑞萨

HIGH-SPEED 3.3V 256K x 18 ASYNCHRONOUS DUAL-PORT STATIC RAM

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Integrated Device Technology, Inc.

HIGH-SPEED 3.3V 256K x 18 ASYNCHRONOUS DUAL-PORT STATIC RAM

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HIGH-SPEED 3.3V 256K x 18 ASYNCHRONOUS DUAL-PORT STATIC RAM

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IDT70V631S12BFI产品属性

  • 类型

    描述

  • 型号

    IDT70V631S12BFI

  • 功能描述

    IC SRAM 4MBIT 12NS 208FBGA

  • RoHS

  • 类别

    集成电路(IC) >> 存储器

  • 系列

    -

  • 标准包装

    3,000

  • 系列

    - 格式 -

  • 存储器

    EEPROMs - 串行

  • 存储器类型

    EEPROM

  • 存储容量

    8K(1K x 8)

  • 速度

    400kHz

  • 接口

    I²C,2 线串口

  • 电源电压

    1.7 V ~ 5.5 V

  • 工作温度

    -40°C ~ 85°C

  • 封装/外壳

    8-SOIC(0.154,3.90mm 宽)

  • 供应商设备封装

    8-SOIC

  • 包装

    带卷(TR)

更新时间:2025-8-8 12:04:00
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