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位置：首页 > IC中文资料第926页 > IDT70V27S

型号 功能描述 生产厂家&企业 LOGO 操作
IDT70V27S

HIGH-SPEED3.3V32Kx16DUAL-PORTSTATICRAM

Features: ◆TrueDual-Portedmemorycellswhichallowsimultaneous accessofthesamememorylocation ◆High-speedaccess –Commercial:15/20/25/35/55ns(max.) –Industrial:15/20/35ns(max.) ◆Low-poweroperation –IDT70V27S Active:500mW(typ.) Standby:3.3mW(typ.) –IDT70V27L Active

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IDT70V27S_12

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IDT70V27S20PFI

封装/外壳：100-TQFP 包装：管件 描述：IC SRAM 512KBIT PARALLEL 100TQFP 集成电路（IC） 存储器

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IDT70V27S25BF

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IDT70V27S25PFI

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IDT
IDT70V27S35BF

HIGH-SPEED3.3V32Kx16DUAL-PORTSTATICRAM

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IDT70V27S35BFI

HIGH-SPEED3.3V32Kx16DUAL-PORTSTATICRAM

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IDT70V27S35G

HIGH-SPEED3.3V32Kx16DUAL-PORTSTATICRAM

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IDT70V27S35GI

HIGH-SPEED3.3V32Kx16DUAL-PORTSTATICRAM

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IDT70V27S35PF

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IDT70V27S35PFI

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IDT70V27S55BF

HIGH-SPEED3.3V32Kx16DUAL-PORTSTATICRAM

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IDT70V27S55BFI

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IDT70V27S55PFI

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70V27

HIGH-SPEED3.3V32Kx16DUAL-PORTSTATICRAM

Features: ◆TrueDual-Portedmemorycellswhichallowsimultaneous accessofthesamememorylocation ◆High-speedaccess –Commercial:15/20/25/35/55ns(max.) –Industrial:15/20/35ns(max.) ◆Low-poweroperation –IDT70V27S Active:500mW(typ.) Standby:3.3mW(typ.) –IDT70V27L Active

RENESASRenesas Electronics America

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RENESAS
DT70V27L

HIGH-SPEED3.3V32Kx16DUAL-PORTSTATICRAM

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DT70V27S

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IDT

IDT70V27S产品属性

  • 类型

    描述

  • 型号

    IDT70V27S

  • 功能描述

    IC SRAM 512KBIT 15NS 144FBGA

  • RoHS

    否

  • 类别

    集成电路(IC) >> 存储器

  • 系列

    -

  • 标准包装

    1,000

  • 系列

    - 格式 -

  • 存储器

    RAM

  • 存储器类型

    SRAM - 双端口，同步

  • 存储容量

    1.125M（32K x 36）

  • 速度

    5ns

  • 接口

    并联

  • 电源电压

    3.15 V ~ 3.45 V

  • 工作温度

    -40°C ~ 85°C

  • 封装/外壳

    256-LBGA

  • 供应商设备封装

    256-CABGA（17x17）

  • 包装

    带卷(TR)

  • 其它名称

    70V3579S5BCI8

IDT70V27S供应商更多...

更新时间：2024-6-25 17:18:00
IC供应商 芯片型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
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IDT70V27S25PF
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