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| 型号 | 功能描述 | 生产厂家&企业 | LOGO | 操作 |
|---|---|---|---|---|
HIGH-SPEED2.5V256/128Kx36ASYNCHRONOUSDUAL-PORTSTATICRAMWITH3.3V0R2.5VINTERFACE Features ◆TrueDual-Portmemorycellswhichallowsimultaneous accessofthesamememorylocation ◆High-speedaccess –Commercial:10/12/15ns(max.) –Industrial:10/12ns(max.) ◆RapidWriteModesimplifieshigh-speedconsecutivewrite cycles ◆Dualchipenablesallowfordepthexpansion | RENESASRenesas Electronics America 瑞萨瑞萨科技有限公司 |  |   | |
HIGH-SPEED2.5V256/128Kx36ASYNCHRONOUSDUAL-PORTSTATICRAM 文件：739.07 Kbytes Page：28 Pages | IDTIntegrated Device Technology, Inc. 集成器深圳市集成器件技术有限公司 |  | | |
HIGH-SPEEDASYNCHRONOUSDUAL-PORTSTATICRAM 文件：266.34 Kbytes Page：28 Pages | IDTIntegrated Device Technology, Inc. 集成器深圳市集成器件技术有限公司 | | | |
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IDT70T651S12BFGI产品属性
- 类型
描述
- 型号
IDT70T651S12BFGI
- 制造商
Integrated Device Technology Inc
- 功能描述
IC SRAM 9MBIT 12NS 208FPBGA
| IC供应商 | 芯片型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
Renesas |
21+ |
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RENESAS(瑞萨)/IDT |
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IDT, Integrated Device Technol |
21+ |
256-CABGA(17x17) |
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一级代理/放心采购 |
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RENESAS(瑞萨) |
23+ |
256-CABGA (17.00L X 17.00W X 1 |
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2019-5-27
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