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| 型号 | 功能描述 | 生产厂家&企业 | LOGO | 操作 |
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IDT6116LA35SOG | 封装/外壳：24-SOIC（0.295"，7.50mm 宽） 包装：卷带（TR） 描述：IC SRAM 16KBIT PARALLEL 24SOIC 集成电路（IC） 存储器 | ETC 知名厂家 | ETC |   |
封装/外壳：24-SOIC（0.295"，7.50mm 宽） 包装：卷带（TR） 描述：IC SRAM 16KBIT PARALLEL 24SOIC 集成电路（IC） 存储器 | ETC 知名厂家 | ETC | | |
CMOS STATIC RAM 16K (2K x 8 BIT) DESCRIPTION: The IDT6116SA/LA is a 16,384-bit high-speed static RAM organized as 2K x 8. It is fabricated using IDTs high-performance, high-reliability CMOS technology. FEATURES: • High-speed access and chip select times — Military: 20/25/35/45/55/70/90/120/150ns (max.) — Commerc | IDT | | ||
CMOS STATIC RAM 16K (2K x 8 BIT) DESCRIPTION: The IDT6116SA/LA is a 16,384-bit high-speed static RAM organized as 2K x 8. It is fabricated using IDTs high-performance, high-reliability CMOS technology. FEATURES: • High-speed access and chip select times — Military: 20/25/35/45/55/70/90/120/150ns (max.) — Commerc | IDT | | ||
CMOS STATIC RAM 16K (2K x 8 BIT) DESCRIPTION: The IDT6116SA/LA is a 16,384-bit high-speed static RAM organized as 2K x 8. It is fabricated using IDTs high-performance, high-reliability CMOS technology. FEATURES: • High-speed access and chip select times — Military: 20/25/35/45/55/70/90/120/150ns (max.) — Commerc | IDT | | ||
CMOS STATIC RAM 16K (2K x 8 BIT) DESCRIPTION: The IDT6116SA/LA is a 16,384-bit high-speed static RAM organized as 2K x 8. It is fabricated using IDTs high-performance, high-reliability CMOS technology. FEATURES: • High-speed access and chip select times — Military: 20/25/35/45/55/70/90/120/150ns (max.) — Commerc | IDT | | ||
CMOS STATIC RAM 16K (2K x 8 BIT) DESCRIPTION: The IDT6116SA/LA is a 16,384-bit high-speed static RAM organized as 2K x 8. It is fabricated using IDTs high-performance, high-reliability CMOS technology. FEATURES: • High-speed access and chip select times — Military: 20/25/35/45/55/70/90/120/150ns (max.) — Commerc | IDT | |
IDT6116LA35SOG产品属性
- 类型
描述
- 型号
IDT6116LA35SOG
- 功能描述
IC SRAM 16KBIT 35NS 24SOIC
- RoHS
是
- 类别
集成电路(IC) >> 存储器
- 系列
-
- 产品变化通告
Product Discontinuation 26/Apr/2010
- 标准包装
136
- 系列
- 格式 -
- 存储器
RAM
- 存储器类型
SRAM - 同步，DDR II
- 存储容量
18M（1M x 18）
- 速度
200MHz
- 接口
并联
- 电源电压
1.7 V ~ 1.9 V
- 工作温度
0°C ~ 70°C
- 封装/外壳
165-TBGA
- 供应商设备封装
165-CABGA（13x15）
- 包装
托盘
- 其它名称
71P71804S200BQ
| IC供应商 | 芯片型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
IDT |
24+ |
DIP24 |
2000 |
只做原装正品现货 欢迎来电查询15919825718 |
|||
IDT |
21+ |
DIP24 |
10000 |
原装现货假一罚十 |
|||
Renesas Electronics America In |
25+ |
24-SOIC(0.295 7.50mm 宽) |
9350 |
独立分销商 公司只做原装 诚心经营 免费试样正品保证 |
|||
IDT |
23+ |
DIP |
10000 |
原厂授权一级代理,专业海外优势订货,价格优势、品种 |
|||
IDT |
23+ |
24300MILCERD |
9526 |
||||
IDT |
23+ |
24-SOIC |
73390 |
专业分销产品!原装正品!价格优势! |
|||
IDT |
22+ |
SOP |
5000 |
全新原装现货!自家库存! |
|||
IDT |
17+ |
DIP24 |
6200 |
100%原装正品现货 |
|||
IDT |
22+ |
24SOIC |
9000 |
原厂渠道,现货配单 |
|||
Renesas |
25+ |
电联咨询 |
7800 |
公司现货,提供拆样技术支持 |
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