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IDDD12G65C6

丝印代码:D1265C6;650V SiC Schottky Diode

Features  Best in class forward voltage (1.25 V)  Best in class figure of merit (Qc x VF)  High dv/dt ruggedness (150 V/ns) Potential Applications  Power factor correction in SMPS  Solar inverter  Uninterruptible power supply

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IDDD12G65C6

CoolSiC ™肖特基二极管 650V G6,适用于高功率 SMPS

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封装/外壳:10-PowerSOP 模块 包装:管件 描述:SIC DIODES 分立半导体产品 二极管 - 整流器 - 单

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6th Generation CoolSiC?

文件:1.044849 Mbytes Page:10 Pages

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更新时间:2026-3-17 12:00:00
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