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ICS343MIPT

封装/外壳:8-SOIC(0.154",3.90mm 宽) 包装:管件 描述:IC VERSACLOCK SYNTHESIZER 8-SOIC 集成电路(IC) 时钟发生器,PLL,频率合成器

RENESAS

瑞萨

N-CHANNEL POWER MOSFETS

N-Channel Power MOSFETs

SAMSUNG

三星

Silicon NPN Transistor RF Power Output (PO = 14W, 175MHz)

Description: The NTE343 is a silicon NPN epitaxial planer type transistor designed for RF power amplifiers on VHF band mobile radio applications. Features: ● High Power Gain: Gpe ≥ 7.5dB (VCC = 13.5V, PO = 14W, f = 175MHz) ● Ability to Withstand more than 20:1 VSWR Load when Operated at: VCC =

NTE

High Voltage Operational Amplifier

文件:228.44 Kbytes Page:12 Pages

NSC

国半

SINGLE LOW-POWER OPERATIONAL AMPLIFIER

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TI

德州仪器

SINGLE LOW-POWER OPERATIONAL AMPLIFIER

文件:114.26 Kbytes Page:7 Pages

TI

德州仪器

ICS343MIPT产品属性

  • 类型

    描述

  • 型号

    ICS343MIPT

  • 功能描述

    IC VERSACLOCK SYNTHESIZER 8-SOIC

  • RoHS

  • 类别

    集成电路(IC) >> 时钟/计时 - 时钟发生器,PLL,频率合成器

  • 系列

    VersaClock™

  • 产品变化通告

    Product Discontinuation 04/May/2011

  • 标准包装

    96

  • 系列

    -

  • 类型

    时钟倍频器,零延迟缓冲器

  • PLL

    带旁路

  • 输入

    LVTTL

  • 输出

    LVTTL

  • 电路数

    1 比率 -

  • 1

    8 差分 -

  • 输出

    无/无 频率 -

  • 最大

    133.3MHz

  • 除法器/乘法器

    是/无

  • 电源电压

    3 V ~ 3.6 V

  • 工作温度

    0°C ~ 70°C

  • 安装类型

    表面贴装

  • 封装/外壳

    16-TSSOP(0.173,4.40mm 宽)

  • 供应商设备封装

    16-TSSOP

  • 包装

    管件

  • 其它名称

    23S08-5HPGG

更新时间:2026-5-19 20:12:00
IC供应商 芯片型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
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