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SiliconEpitaxialPlanarZenerDiodeforStabilizedPowerSupply Features •Lowleakage,lowzenerimpedanceandmaximumpowerdissipationof500mWareideallysuitedforstabilizedpowersupply,etc. •Widespectrumfrom1.6Vthrough38Vofzenervoltageprovideflexibleapplication. | RENESASRenesas Electronics America 瑞萨瑞萨科技有限公司 |  |   | |
SiliconEpitaxialPlanarZenerDiodeforStabilizedPowerSupply Features •Lowleakage,lowzenerimpedanceandmaximumpowerdissipationof500mWareideallysuitedforstabilizedpowersupply,etc. •Widespectrumfrom1.6Vthrough38Vofzenervoltageprovideflexibleapplication. | HitachiHitachi, Ltd. 日立公司 |  | | |
SILICONEPITAXIALPLANERZENERDIODES forstabilizedpowersupply Features •Lowleakage,lowzenerimpedanceandmaximumpowerdissipationof500mWareideallysuitedforstabilizedpowersupply,etc. •Widespectrumfrom1.6Vthrough38Vofzenervoltageprovideflexibleapplication. | SEMTECH_ELECSEMTECH ELECTRONICS LTD. 先之科半导体先之科半导体科技（东莞）有限公司 |  | | |
Glass-EncapsulateDiodes 文件：385.79 Kbytes Page：4 Pages | HOTTECHGuangdong Hottech Co. Ltd. 合科泰广东合科泰实业有限公司 |  | | |
500mWZenerDiode1.7to37.2Volts Features •LowLeakage •LowZenerImpedance •HighReliability | MCCMicro Commercial Components 美微科美微科半导体公司 |  | |
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