型号 功能描述 生产厂家&企业 LOGO 操作
HUF76407P3

12A, 60V, 0.107 Ohm, N-Channel, Logic Level UltraFET Power MOSFET

Features • Ultra Low On-Resistance - rDS(ON) = 0.092Ω, VGS = 10V - rDS(ON) = 0.107Ω, VGS = 5V • Simulation Models - Temperature Compensated PSPICE® and SABER™ Electrical Models - Spice and SABER Thermal Impedance Models - www.fairchildsemi.com • Peak Current vs Pulse Wi

FairchildFairchild Semiconductor

仙童半导体飞兆/仙童半导体公司

HUF76407P3

12A, 60V, 0.107 Ohm, N-Channel, Logic Level UltraFET Power MOSFET

Features • Ultra Low On-Resistance - rDS(ON) = 0.092Ω, VGS = 10V - rDS(ON) = 0.107Ω, VGS = 5V • Simulation Models - Temperature Compensated PSPICE® and SABER© Electrical Models - Spice and SABER© Thermal Impedance Models - www.Intersil.com • Peak Current vs Pulse Width

Intersil

12A, 60V, 0.107 Ohm, N-Channel, Logic Level UltraFET Power MOSFET

Features • Ultra Low On-Resistance - rDS(ON) = 0.092Ω, VGS = 10V - rDS(ON) = 0.107Ω, VGS = 5V • Simulation Models - Temperature Compensated PSPICE® and SABER™ Electrical Models - Spice and SABER Thermal Impedance Models - www.fairchildsemi.com • Peak Current vs Pulse Wi

FairchildFairchild Semiconductor

仙童半导体飞兆/仙童半导体公司

HUF76407P3产品属性

  • 类型

    描述

  • 型号

    HUF76407P3

  • 功能描述

    MOSFET 11a 60V 0.107 Ohm Logic Level N-Ch

  • RoHS

  • 制造商

    STMicroelectronics

  • 晶体管极性

    N-Channel

  • 汲极/源极击穿电压

    650 V

  • 闸/源击穿电压

    25 V

  • 漏极连续电流

    130 A 电阻汲极/源极

  • RDS(导通)

    0.014 Ohms

  • 配置

    Single

  • 安装风格

    Through Hole

  • 封装/箱体

    Max247

  • 封装

    Tube

更新时间:2025-8-18 17:23:00
IC供应商 芯片型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
FSC/ON
23+
原包装原封□□
3600
原装进口特价供应特价,原装元器件供应,支持开发样品更多详细咨询库存
FAIRCHILD
24+
TO-220
8000
只做原装正品现货 欢迎来电查询15919825718
INTERS
25+
NA
880000
明嘉莱只做原装正品现货
FAIRCHILD
23+
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专做原装正品,假一罚百!
FAIRCHILD/仙童
21+
TO-220
10000
原装现货假一罚十
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1709+
SOT-252
32500
普通
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