| 型号 | 功能描述 | 生产厂家 企业 | LOGO | 操作 |
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DIAC [FAGOR] • Silicon bi-directional trigger device intended for use in thyristor (SCR and TRIAC) trigger circuits, energy saving lighting circuits and other switching functions. BREAKOVER VOLTAGE 32 V ON-STATE CURRENT 2.0 Amps SPECIAL FEATURES: • Low breakover current. • Excellent symmetry. • | ETCList of Unclassifed Manufacturers 未分类制造商 |   | ||
丝印代码：K2***；Specification Comparison TN0200K vs. TN0200T 文件：32.04 Kbytes Page：1 Pages | VISHAYVishay Siliconix 威世威世科技公司 | | ||
Specification Comparison TN0200K vs. TN0200T 文件：32.04 Kbytes Page：1 Pages | VISHAYVishay Siliconix 威世威世科技公司 | | ||
N-Channel 20-V (D-S) MOSFETs 文件：66.09 Kbytes Page：4 Pages | VISHAYVishay Siliconix 威世威世科技公司 | | ||
SILICON ZENER DIODES 文件：104.04 Kbytes Page：2 Pages | EIC | |
| IC供应商 | 芯片型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
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2021-2-16HSF-48-19-BF
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双抗辐射，非反相功率MOSFET驱动器 辐射硬化的Hs4424RH和HS -4424BRH是非相，双，单片高速MOSFET驱动器设计的高电流转换为TTL电平信号在电压高达18V的输出。这些设备的投入是TTL兼容，可我们的房协直接驱动，1825ARH脉宽调制器或我们的加勒比国家联盟/青蒿素和HCS/ HCTS会类型的逻辑器件。快速崛起时间和高电流输出允许非常快速控制高功率MOSFET栅极电容，像我们的抗辐射FS055，在高频率的应用。高电流输出减少功率损耗通过快速的MOSFET栅极充电和放电电容。输出级采用了低电压锁出电路，放进一个三态模式输出当电源电压下降为低于10V房协，4
2013-3-2HS9S-117RH-8-抗辐射可调节正电压稳压器
硬化HS -117RH辐射是一种积极的调节电压线性稳压器高达40VDC的经营能力。该电压调节从1.2V至37V的两个外部电阻。该设备的采购能够从50mA至1.25APEAK（分钟）。保护是由片上热关断和输出电流限制电路。Intersil的HS -117RH比其他行业的优势标准类型的电路，以减少注册成立在设备的辐射和温度稳定性的影响。低剂量率可忽略不计的灵敏度达到通过使用垂直晶体管几何。与介质隔离Intersil的构造拉德硬硅门（RSG）的过程中，HS -117RH都难单事件闭锁，并经过特别设计，提供高度可靠的性能在恶劣的辐射环境。 特点 •电甄
2013-1-28
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