位置:首页 > IC中文资料 > HSG2001VF-TL-E
型号 | 功能描述 | 生产厂家&企业 | LOGO | 操作 |
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1.0Watt-28Volts,ClassCMicrowave2000MHz GENERALDESCRIPTION The2001isaCOMMONBASEtransistorcapableofproviding1WattsClassC,RFoutputpowerat2000MHz.GoldMetalizationanddiffusedballastingareusedtoprovidehighreliabilityandsupremeruggedness.ThetransistorusesafullyhermeticHighTemperatureSolderSealedpa | GHZTECHGHz Technology GHz Technology | |||
USPowerSupplyCordwithIECConnectorC13,V-Lock,straight Description -PowerCord,ProtectionclassI,Pintemperature70°C, -withV-Lockinterlockingsystem | SCHURTERSchurter Inc. 硕特硕特集团 | |||
HIGHVOLTAGEFAST-SWITCHINGNPNPOWERTRANSISTOR DESCRIPTION ThedeviceismanufacturedusingDiffusedCollectortechnologyformorestableoperationVsbasedrivecircuitvariationsresultinginverylowworstcasedissipation. ■NEWSERIES,ENHANCEDPERFORMANCE ■FULLYINSULATEDPACKAGE(U.L.COMPLIANT)FOREASYMOUNTING ■HIGHVOLTAGECAP | STMICROELECTRONICSSTMicroelectronics 意法半导体意法半导体(ST)集团 | |||
HighVoltageHighCurrentDarlingtonArrays HIGH-VOLTAGE,HIGH-CURRENTDARLINGTONARRAYS Ideallysuitedforinterfacingbetweenlow-levellogiccircuitryandmultipleperipheralpowerloads,theSeriesULN20xxA/Lhigh-voltage,high-currentDarlingtonarraysfeaturecontinuousloadcurrentratingsto500mAforeachofthesevendrivers.At | Allegro Allegro MicroSystems | |||
7½-DigitHighPerformanceMultimeter8½-DigitHighPerformanceMultimeter 文件:402.77 Kbytes Page:6 Pages | TEKTRONIXTektronix 泰克泰克科技(中国)有限公司 |
IC供应商 | 芯片型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
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三年内 |
1983 |
纳立只做原装正品13590203865 |
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NA |
2018+ |
NA |
6528 |
承若只做进口原装正品假一赔十! |
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Honeywell(霍尼韦尔) |
21+ |
NA |
1780 |
中国航天工业部战略合作伙伴行业领导者 |
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YEONHO |
22+ |
NA |
2000 |
仓库现货,终端可送样品 |
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TE Connectivity(美国泰科) |
23+ |
6000 |
诚信服务,绝对原装原盘 |
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SUYIN |
114 |
原装正品长期供货,如假包赔包换 徐小姐13714450367 |
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NSC |
23+ |
SOP-8 |
1003 |
优势库存 |
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国产 |
21+ |
原厂封装 |
2582 |
只做原装正品,不止网上数量,欢迎电话微信查询! |
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HSG2001VF-TL-E规格书下载地址
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2019-8-2HS9-4424BRH-双抗辐射,非逆变电源的MOSFET驱动器
双抗辐射,非反相功率MOSFET驱动器辐射硬化的Hs4424RH和HS-4424BRH是非相,双,单片高速MOSFET驱动器设计的高电流转换为TTL电平信号在电压高达18V的输出。这些设备的投入是TTL兼容,可我们的房协直接驱动,1825ARH脉宽调制器或我们的加勒比国家联盟/青蒿素和HCS/HCTS会类型的逻辑器件。快速崛起时间和高电流输出允许非常快速控制高功率MOSFET栅极电容,像我们的抗辐射FS055,在高频率的应用。高电流输出减少功率损耗通过快速的MOSFET栅极充电和放电电容。输出级采用了低电压锁出电路,放进一个三态模式输出当电源电压下降为低于10V房协,4
2013-3-2HS9S-117RH-8-抗辐射可调节正电压稳压器
硬化HS-117RH辐射是一种积极的调节电压线性稳压器高达40VDC的经营能力。该电压调节从1.2V至37V的两个外部电阻。该设备的采购能够从50mA至1.25APEAK(分钟)。保护是由片上热关断和输出电流限制电路。Intersil的HS-117RH比其他行业的优势标准类型的电路,以减少注册成立在设备的辐射和温度稳定性的影响。低剂量率可忽略不计的灵敏度达到通过使用垂直晶体管几何。与介质隔离Intersil的构造拉德硬硅门(RSG)的过程中,HS-117RH都难单事件闭锁,并经过特别设计,提供高度可靠的性能在恶劣的辐射环境。特点•电甄
2013-1-28
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