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2300	1/4JACKBLOCKS 文件：21.26 Kbytes Page：1 Pages	SWITCH Switch Publishing Co.，Ltd.
2300	6.0A竊?0VN-CHANNELMOSFET 文件：311 Kbytes Page：5 Pages	KIAKIA Semiconductor Technology 可易亚半导体广东可易亚半导体科技有限公司
2300	KNOBSANDDIALPLATES 文件：47.25 Kbytes Page：2 Pages	etc2List of Unclassifed Manufacturers etc未分类制造商etc2未分类制造商
2300	2300SERIESMULTI-POLEREEDRELAYS 文件：632.54 Kbytes Page：2 Pages	COTO Coto Technology

HSDL-2300#001产品属性

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型号
HSDL-2300#001
功能描述
FIBER OPTIC TRANSCEIVER

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更新时间：2025-6-3 13:31:02

IC供应商	芯片型号	品牌	批号	封装	库存	备注	价格
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深圳市骏创达科技有限公司	2300724-1	TE/泰科	2508+	/	470984	一级代理，原装现货	询价
深圳市仟禧电子有限公司	2300	SIPUSEMI	22+	SOT-23	20000	深圳原装现货正品有单价格可谈	询价
现代芯城（深圳）科技有限公司	2300		24+	N/A	46000	一级代理-主营优势-实惠价格-不悔选择	询价
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2021-2-16
HSF-48-19-BF
HSF系列散热器/风扇组合 Wakefield-Vette的散热器/风扇组合设计用于许多行业的气流应用
2020-3-10
HSMG-C170进口原装正品现货假一罚十
HSMG-C170进口原装正品现货假一罚十尽在-宇集芯电子
2019-8-2
HS9-4424BRH-双抗辐射，非逆变电源的MOSFET驱动器
双抗辐射，非反相功率MOSFET驱动器辐射硬化的Hs4424RH和HS-4424BRH是非相，双，单片高速MOSFET驱动器设计的高电流转换为TTL电平信号在电压高达18V的输出。这些设备的投入是TTL兼容，可我们的房协直接驱动，1825ARH脉宽调制器或我们的加勒比国家联盟/青蒿素和HCS/HCTS会类型的逻辑器件。快速崛起时间和高电流输出允许非常快速控制高功率MOSFET栅极电容，像我们的抗辐射FS055，在高频率的应用。高电流输出减少功率损耗通过快速的MOSFET栅极充电和放电电容。输出级采用了低电压锁出电路，放进一个三态模式输出当电源电压下降为低于10V房协，4
2013-3-2
HS9-4423BRH-抗辐射双通道，逆变电源的MOSFET驱动器
抗辐射双通道，逆变电源MOSFET驱动器辐射硬化的Hs4423RH和房协，4423BRH是反转，双通道，单片高速MOSFET驱动器设计的高电流转换为TTL电平信号在电压高达18V的输出。这些设备的投入是TTL兼容，可我们的房协直接驱动，1825ARH脉宽调制器或我们的加勒比国家联盟/青蒿素和HCS/HCTS会类型的逻辑器件。快速崛起时间和高电流输出允许非常快速控制高功率MOSFET栅极电容，像我们的抗辐射FS055，在高频率的应用。高电流输出减少功率损耗通过快速的MOSFET栅极充电和放电电容。输出级采用了低电压锁出电路，放进一个三态模式输出当电源电压下降为低于10V房协
2013-3-2
HS9S-117RH-8-抗辐射可调节正电压稳压器
硬化HS-117RH辐射是一种积极的调节电压线性稳压器高达40VDC的经营能力。该电压调节从1.2V至37V的两个外部电阻。该设备的采购能够从50mA至1.25APEAK（分钟）。保护是由片上热关断和输出电流限制电路。Intersil的HS-117RH比其他行业的优势标准类型的电路，以减少注册成立在设备的辐射和温度稳定性的影响。低剂量率可忽略不计的灵敏度达到通过使用垂直晶体管几何。与介质隔离Intersil的构造拉德硬硅门（RSG）的过程中，HS-117RH都难单事件闭锁，并经过特别设计，提供高度可靠的性能在恶劣的辐射环境。特点•电甄
2013-1-28

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