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型号	功能描述	生产厂家&企业
HSD667A	SILICONNPNEPITAXIAL Description LowFrequencyPowerAmplifierComplementaryPairWithHSB647A.	HSMC 华昕
AD667	Microprocessor-Compatible12-BitD/AConverter PRODUCTDESCRIPTION TheAD667isacompletevoltageoutput12-bitdigital-to-analogconverterincludingahighstabilityburiedZenervoltagereferenceanddouble-bufferedinputlatchonasinglechip.Theconverteruses12precisionhighspeedbipolarcurrentsteeringswitchesandalasertrimme	ADAnalog Devices 亚德诺亚德诺半导体技术有限公司
667	Isolatedandbussedcircuits 文件：390.54 Kbytes Page：3 Pages	BITECH 瑞谷拜特上海瑞谷拜特软件技术有限公司
667C	HYFIREVIICPROCDIGNITIONSYSTEM 文件：116.29 Kbytes Page：8 Pages	MALLORY Mallory Sonalert Products Inc.
667S	VIISSPORTSMANCDIGNITIONSYSTEM 文件：363.32 Kbytes Page：4 Pages	MALLORY Mallory Sonalert Products Inc.
AD667	Microprocessor-Compatible12-BitD/AConverter 文件：759.27 Kbytes Page：8 Pages	ADAnalog Devices 亚德诺亚德诺半导体技术有限公司

HSD667A产品属性

类型
描述
型号
HSD667A
制造商
HSMC
制造商全称
HSMC
功能描述
SILICON NPN EPITAXIAL

HSD667A供应商更多...

更新时间：2024-5-11 20:29:00

IC供应商	芯片型号	品牌	批号	封装	库存	备注	价格
深圳市明嘉莱科技有限公司	HSD669A	HISINCERITY	1999	NA	880000	明嘉莱只做原装正品现货	询价
深圳市金芯世纪电子有限公司	HSD669A	HSMC	22+	TO-126	100000	代理渠道/只做原装/可含税	询价
瀚佳科技(深圳)有限公司	HSD669	HX	2019+	TO-126	9850	公司原装现货/长期供应	询价
易创佳业科技（深圳）有限公司	HSD669A	HUAXI	23+	TO-126	6000	原装正品，支持实单	询价
深圳兆威电子有限公司	HSD669A	华昕	23+	TO126F	90000	只做原厂渠道价格优势可提供技术支持	询价
深圳市科恒伟业电子有限公司	HSD669A-C	TH/韩国太虹	2048+	TO126F	9851	只做原装正品现货!或订货假一赔十!	询价
深圳市特顺芯科技有限公司	HSD669	台湾华昕		TO-126	12500		询价
深圳市拓亿芯电子有限公司	HSD669A-C	华晰	23+	TO126	12500	一级代理,原装现货,价格优势	询价
深圳市向鸿伟业电子有限公司	HSD669A-C	华昕	TO126F	12500	16	只做原装进口IOR-TI-ST,可以送样品	询价
深圳宇航军工半导体有限公司	HSD669	台湾华昕电子	19+	TO-126	73490	原厂代理渠道,每一颗芯片都可追溯原厂；	询价

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2021-2-16
HSF-48-19-BF
HSF系列散热器/风扇组合 Wakefield-Vette的散热器/风扇组合设计用于许多行业的气流应用
2020-3-10
HSMG-C170进口原装正品现货假一罚十
HSMG-C170进口原装正品现货假一罚十尽在-宇集芯电子
2019-8-2
HS9-4424BRH-双抗辐射，非逆变电源的MOSFET驱动器
双抗辐射，非反相功率MOSFET驱动器辐射硬化的Hs4424RH和HS-4424BRH是非相，双，单片高速MOSFET驱动器设计的高电流转换为TTL电平信号在电压高达18V的输出。这些设备的投入是TTL兼容，可我们的房协直接驱动，1825ARH脉宽调制器或我们的加勒比国家联盟/青蒿素和HCS/HCTS会类型的逻辑器件。快速崛起时间和高电流输出允许非常快速控制高功率MOSFET栅极电容，像我们的抗辐射FS055，在高频率的应用。高电流输出减少功率损耗通过快速的MOSFET栅极充电和放电电容。输出级采用了低电压锁出电路，放进一个三态模式输出当电源电压下降为低于10V房协，4
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HS9-4423BRH-抗辐射双通道，逆变电源的MOSFET驱动器
抗辐射双通道，逆变电源MOSFET驱动器辐射硬化的Hs4423RH和房协，4423BRH是反转，双通道，单片高速MOSFET驱动器设计的高电流转换为TTL电平信号在电压高达18V的输出。这些设备的投入是TTL兼容，可我们的房协直接驱动，1825ARH脉宽调制器或我们的加勒比国家联盟/青蒿素和HCS/HCTS会类型的逻辑器件。快速崛起时间和高电流输出允许非常快速控制高功率MOSFET栅极电容，像我们的抗辐射FS055，在高频率的应用。高电流输出减少功率损耗通过快速的MOSFET栅极充电和放电电容。输出级采用了低电压锁出电路，放进一个三态模式输出当电源电压下降为低于10V房协
2013-3-2
HS9S-117RH-8-抗辐射可调节正电压稳压器
硬化HS-117RH辐射是一种积极的调节电压线性稳压器高达40VDC的经营能力。该电压调节从1.2V至37V的两个外部电阻。该设备的采购能够从50mA至1.25APEAK（分钟）。保护是由片上热关断和输出电流限制电路。Intersil的HS-117RH比其他行业的优势标准类型的电路，以减少注册成立在设备的辐射和温度稳定性的影响。低剂量率可忽略不计的灵敏度达到通过使用垂直晶体管几何。与介质隔离Intersil的构造拉德硬硅门（RSG）的过程中，HS-117RH都难单事件闭锁，并经过特别设计，提供高度可靠的性能在恶劣的辐射环境。特点•电甄
2013-1-28

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