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型号 功能描述 生产厂家 企业 LOGO 操作
HSC06065AC

丝印代码：HSC06065AC；Silicon Carbide Schottky Diode

Features: • Zero Reverse Recovery Current • Zero Forward Recovery Voltage • New Thin Wafer Technology • Positive Temperature Coefficient on VF • Temperature-independent Switching • Excellent surge current capability • 175°C Operating Junction Temperature Applications: • Switch Mode Power

HUIXIN

慧芯电子

HSC06065F

丝印代码：HSC06065F；Silicon Carbide Schottky Diode

Features: • Zero Reverse Recovery Current • Zero Forward Recovery Voltage • New Thin Wafer Technology • Positive Temperature Coefficient on VF • Temperature-independent Switching • Excellent surge current capability • 175°C Operating Junction Temperature Applications: • Switch Mode Power

HUIXIN

慧芯电子

LSC06065TDW

丝印代码：06065TDW；SILICON CARBIDE SCHOTTKY DIODE

FEATURES • Positive temperature coefficient for safe operation and easy of paralleling • 175°C maximum operating junction temperature • Essentially no reverse or forward recovery • Extremely fast switching not dependent on temperature • Qualified according to AEC-Q101 Rev_D • Lead-Free Fini

DIODES

美台半导体

LSC06065W

丝印代码：LSC06065W；SILICON CARBIDE SCHOTTKY DIODE

FEATURES Positive temperature coefficient for safe operation and easy of paralleling 175oC maximum operating junction temperature Essentially no reverse or forward recovery Extremely fast switching not dependent on temperature Qualification is according to AEC-Q101 Rev_D Lead-Free Finish; R

DIODES

美台半导体

06065A

6A竊?50V Silicon Carbide Diode

文件：64.51 Kbytes Page：3 Pages

KIA

可易亚半导体

LFUSCD06065A

Enhanced surge capability

文件：552.92 Kbytes Page：4 Pages

LITTELFUSE

力特

HSC06065AC供应商更多...

更新时间：2026-3-15 16:26:00
IC供应商 芯片型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
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HSC100100RJ
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