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| 型号 | 功能描述 | 生产厂家 企业 | LOGO | 操作 |
|---|---|---|---|---|
HSBD140 | PNP SILICON TRANSISTOR APPLICATIONS Medium Power Linear switching Applications | Huashan 华汕电子器件 |   | |
HSBD140 | PNP SILICON TRANSISTOR 文件：83 Kbytes Page：1 Pages | ETCList of Unclassifed Manufacturers 未分类制造商 | | |
HSBD140 | 通用晶体管 | Huashan 华汕电子器件 | | |
1/2 (12.7 mm) Single - Turn Wirewound Bushing Mount Type Precision Potentiometer FEATURES • Ohmic value range: 50 up to 20 k • Smallest size available: 12.7 mm • Mechanical stops on request • High torque and sealed versions available • Material categorization: for definitions of compliance please see www.vishay.com/doc?99912 | VishayVishay Siliconix 威世威世科技公司 | | ||
Mechanical stops on request 文件：90.76 Kbytes Page：3 Pages | VishayVishay Siliconix 威世威世科技公司 | | ||
Temperature Sensors Line Guide 文件：736.09 Kbytes Page：11 Pages | Honeywell 霍尼韦尔 | | ||
RUGGED and LIGHTWEIGHT ALUMINUM BATTERY HOLDERS 文件：115.71 Kbytes Page：2 Pages | ETCList of Unclassifed Manufacturers 未分类制造商 | | ||
THREADED INSERT, BLIND, REGULAR HEAD STYLE MEDIUM DUTY 文件：123.62 Kbytes Page：1 Pages | WITTEN | |
HSBD140产品属性
- 类型
描述
- 型号
HSBD140
- 制造商
HUASHAN
- 制造商全称
HUASHAN
- 功能描述
PNP SILICON TRANSISTOR
| IC供应商 | 芯片型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
TE/泰科 |
2508+ |
/ |
415341 |
一级代理，原装现货 |
|||
24+ |
N/A |
67000 |
一级代理-主营优势-实惠价格-不悔选择 |
||||
HUASHUO(华朔) |
2447 |
PRPAK3x3NEP |
105000 |
3000个/圆盘一级代理专营品牌!原装正品,优势现货, |
|||
AmphenolAerospace |
24+ |
DIP |
17900 |
矩形军用规格连接器3DIFPAIRDB.12SOPCBR/A.016Dia |
|||
NK/南科功率 |
2025+ |
PRPAK3x3 |
986966 |
国产 |
|||
25+ |
IGBT |
7788 |
原厂直接发货进口原装 |
||||
AMPHENOL |
25+ |
2 |
公司优势库存 热卖中! |
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2021-2-16HSF-48-19-BF
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双抗辐射，非反相功率MOSFET驱动器 辐射硬化的Hs4424RH和HS -4424BRH是非相，双，单片高速MOSFET驱动器设计的高电流转换为TTL电平信号在电压高达18V的输出。这些设备的投入是TTL兼容，可我们的房协直接驱动，1825ARH脉宽调制器或我们的加勒比国家联盟/青蒿素和HCS/ HCTS会类型的逻辑器件。快速崛起时间和高电流输出允许非常快速控制高功率MOSFET栅极电容，像我们的抗辐射FS055，在高频率的应用。高电流输出减少功率损耗通过快速的MOSFET栅极充电和放电电容。输出级采用了低电压锁出电路，放进一个三态模式输出当电源电压下降为低于10V房协，4
2013-3-2HS9-4423BRH-抗辐射双通道，逆变电源的MOSFET驱动器
抗辐射双通道，逆变电源MOSFET驱动器 辐射硬化的Hs4423RH和房协，4423BRH是反转，双通道，单片高速MOSFET驱动器设计的高电流转换为TTL电平信号在电压高达18V的输出。这些设备的投入是TTL兼容，可我们的房协直接驱动，1825ARH脉宽调制器或我们的加勒比国家联盟/青蒿素和HCS/ HCTS会类型的逻辑器件。快速崛起时间和高电流输出允许非常快速控制高功率MOSFET栅极电容，像我们的抗辐射FS055，在高频率的应用。高电流输出减少功率损耗通过快速的MOSFET栅极充电和放电电容。输出级采用了低电压锁出电路，放进一个三态模式输出当电源电压下降为低于10V房协
2013-3-2HS9S-117RH-8-抗辐射可调节正电压稳压器
硬化HS -117RH辐射是一种积极的调节电压线性稳压器高达40VDC的经营能力。该电压调节从1.2V至37V的两个外部电阻。该设备的采购能够从50mA至1.25APEAK（分钟）。保护是由片上热关断和输出电流限制电路。Intersil的HS -117RH比其他行业的优势标准类型的电路，以减少注册成立在设备的辐射和温度稳定性的影响。低剂量率可忽略不计的灵敏度达到通过使用垂直晶体管几何。与介质隔离Intersil的构造拉德硬硅门（RSG）的过程中，HS -117RH都难单事件闭锁，并经过特别设计，提供高度可靠的性能在恶劣的辐射环境。 特点 •电甄
2013-1-28
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