| 型号 | 功能描述 | 生产厂家&企业 | LOGO | 操作 |
|---|---|---|---|---|
InductiveSensors BESM08EG-NSC40F-BP02 Basicfeatures Approval/ConformitycULus CE UKCA WEEE BasicstandardIEC60947-5-2 TrademarkGlobal | BalluffBalluff Korea Ltd. 巴鲁夫巴鲁夫集团 |  |   | |
DCPOWERJACKSPCBOARDANDPANELMOUNT 文件：138.12 Kbytes Page：1 Pages | ADAM-TECHAdam Technologies, Inc. 亚当科技亚当科技股份有限公司 |  | | |
6.0x3.5mmSMDCrystal 文件：242 Kbytes Page：1 Pages | TAITIENTAITIEN ELECTRONICS CO.,LTD 泰艺泰艺电子股份有限公司 |  | | |
SURFACE-MOUNTBROADBANDBALUN 文件：544.74 Kbytes Page：8 Pages | MARKIMICROWAVEMarki Microwave 马基马基微波 |  | | |
HIGHPOWERSURFACE-MOUNTBALUN 文件：583.12 Kbytes Page：8 Pages | MARKIMICROWAVEMarki Microwave 马基马基微波 | | |
| IC供应商 | 芯片型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
BES |
1736+ |
QFN |
8298 |
只做进口原装正品假一赔十! |
|||
BES |
23+ |
QFN |
50000 |
只做原装正品 |
|||
BESTRELY |
24+ |
BGA |
9000 |
只做原装正品 有挂有货 假一赔十 |
|||
BES |
23+ |
QFN |
5000 |
原厂授权代理,海外优势订货渠道。可提供大量库存,详 |
|||
BES |
23+ |
BGA |
15000 |
全新原装现货,价格优势 |
|||
BES |
20+ |
QFN |
34 |
原装 |
|||
24+ |
N/A |
80000 |
一级代理-主营优势-实惠价格-不悔选择 |
||||
BORN |
22+ |
DFN2×2-3L |
25000 |
伯恩全系列在售 |
|||
SAMSUNG |
1922+ |
NA |
35689 |
原装进口现货库存专业工厂研究所配单供货 |
|||
NEC |
2447 |
LQFP |
100500 |
一级代理专营品牌!原装正品,优势现货,长期排单到货 |
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2021-2-16HSF-48-19-BF
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2020-3-10HSMG-C170进口原装正品现货假一罚十
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2019-8-2HS9-4424BRH-双抗辐射，非逆变电源的MOSFET驱动器
双抗辐射，非反相功率MOSFET驱动器辐射硬化的Hs4424RH和HS-4424BRH是非相，双，单片高速MOSFET驱动器设计的高电流转换为TTL电平信号在电压高达18V的输出。这些设备的投入是TTL兼容，可我们的房协直接驱动，1825ARH脉宽调制器或我们的加勒比国家联盟/青蒿素和HCS/HCTS会类型的逻辑器件。快速崛起时间和高电流输出允许非常快速控制高功率MOSFET栅极电容，像我们的抗辐射FS055，在高频率的应用。高电流输出减少功率损耗通过快速的MOSFET栅极充电和放电电容。输出级采用了低电压锁出电路，放进一个三态模式输出当电源电压下降为低于10V房协，4
2013-3-2HS9-4423BRH-抗辐射双通道，逆变电源的MOSFET驱动器
抗辐射双通道，逆变电源MOSFET驱动器辐射硬化的Hs4423RH和房协，4423BRH是反转，双通道，单片高速MOSFET驱动器设计的高电流转换为TTL电平信号在电压高达18V的输出。这些设备的投入是TTL兼容，可我们的房协直接驱动，1825ARH脉宽调制器或我们的加勒比国家联盟/青蒿素和HCS/HCTS会类型的逻辑器件。快速崛起时间和高电流输出允许非常快速控制高功率MOSFET栅极电容，像我们的抗辐射FS055，在高频率的应用。高电流输出减少功率损耗通过快速的MOSFET栅极充电和放电电容。输出级采用了低电压锁出电路，放进一个三态模式输出当电源电压下降为低于10V房协
2013-3-2HS9S-117RH-8-抗辐射可调节正电压稳压器
硬化HS-117RH辐射是一种积极的调节电压线性稳压器高达40VDC的经营能力。该电压调节从1.2V至37V的两个外部电阻。该设备的采购能够从50mA至1.25APEAK（分钟）。保护是由片上热关断和输出电流限制电路。Intersil的HS-117RH比其他行业的优势标准类型的电路，以减少注册成立在设备的辐射和温度稳定性的影响。低剂量率可忽略不计的灵敏度达到通过使用垂直晶体管几何。与介质隔离Intersil的构造拉德硬硅门（RSG）的过程中，HS-117RH都难单事件闭锁，并经过特别设计，提供高度可靠的性能在恶劣的辐射环境。特点•电甄
2013-1-28
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