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| 型号 | 功能描述 | 生产厂家 企业 | LOGO | 操作 |
|---|---|---|---|---|
HSB857 | PNP EPITAXIAL PLANAR TRANSISTOR Description Low frequency power amplifier. | HSMC 华昕 |   | |
HSB857 | TO-220AB Bipolar Transistor | HSMC 华昕 | | |
PNP EPITAXIAL PLANAR TRANSISTOR Description Low frequency power amplifier. | HSMC 华昕 | | ||
PNP EPITAXIAL PLANAR TRANSISTOR Description Low frequency power amplifier. | HSMC 华昕 | | ||
TO-126ML Bipolar Transistor | HSMC 华昕 | | ||
TO-252 Bipolar Transistor | HSMC 华昕 | | ||
857 Series High Temp Card Edge Connector | Black | 0.156 (3.96mm) Pitch | 0.200 (5.08mm) Row Spacing | Low Profile Insulator Features 0.156 (3.96mm) Contact Spacing by 0.200 (5.08mm) Row Spacing Accepts .062 (1.57mm) Nominal Thickness P.C. Board Low Profile Insulator Body, 0.473 (12.01mm) Contact Termination Options include P.C. Tail, Wire Hole, Wire Wrap, 90 and Extender Board Bends Single or Dual Row Configuratio | EDAC 亚得电子 | | ||
General Purpose Transistor Features - Low current (max. 100mA). - Low voltage. - AEC-Q101 Qualified. | COMCHIP 典琦 | | ||
General Purpose Transistor Features - For AF input stages and driver applications. - High current gain. - Low collector-emitter saturation voltage. - Low noise between 30Hz and 15kHz. - AEC-Q101 Qualified. | COMCHIP 典琦 | | ||
General Purpose Transistor Features - Low current (max. 100mA). - Low voltage. - AEC-Q101 Qualified. | COMCHIP 典琦 | | ||
boxes and ancillary products 文件：3.51246 Mbytes Page：5 Pages | ETCList of Unclassifed Manufacturers 未分类制造商 | |
HSB857产品属性
- 类型
描述
- 型号
HSB857
- 制造商
HSMC
- 制造商全称
HSMC
- 功能描述
PNP EPITAXIAL PLANAR TRANSISTOR
| IC供应商 | 芯片型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
华晰 |
23+ |
TO-252 |
15000 |
原厂授权一级代理,专业海外优势订货,价格优势、品种 |
|||
华晰 |
24+ |
TO-252 |
2300 |
只做原厂渠道 可追溯货源 |
|||
原装正品 |
23+ |
TO-252 |
70091 |
##公司主营品牌长期供应100%原装现货可含税提供技术 |
|||
N/A |
24+ |
TO-220 |
27 |
||||
HTC |
12+ |
TO-220 |
600 |
一级代理,专注军工、汽车、医疗、工业、新能源、电力 |
|||
N/A |
24+ |
TO-220 |
27500 |
原装正品,价格最低! |
|||
HSMC |
24+ |
TO-92 |
89000 |
特价特价100原装长期供货. |
|||
HSMC |
22+ |
TO-220 |
100000 |
代理渠道/只做原装/可含税 |
|||
HTC |
24+ |
NA/ |
3850 |
原装现货,当天可交货,原型号开票 |
|||
恩XP |
23+ |
TO-220AB |
69820 |
终端可以免费供样,支持BOM配单! |
HSB857规格书下载地址
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2021-2-16HSF-48-19-BF
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抗辐射双通道，逆变电源MOSFET驱动器 辐射硬化的Hs4423RH和房协，4423BRH是反转，双通道，单片高速MOSFET驱动器设计的高电流转换为TTL电平信号在电压高达18V的输出。这些设备的投入是TTL兼容，可我们的房协直接驱动，1825ARH脉宽调制器或我们的加勒比国家联盟/青蒿素和HCS/ HCTS会类型的逻辑器件。快速崛起时间和高电流输出允许非常快速控制高功率MOSFET栅极电容，像我们的抗辐射FS055，在高频率的应用。高电流输出减少功率损耗通过快速的MOSFET栅极充电和放电电容。输出级采用了低电压锁出电路，放进一个三态模式输出当电源电压下降为低于10V房协
2013-3-2HS9S-117RH-8-抗辐射可调节正电压稳压器
硬化HS -117RH辐射是一种积极的调节电压线性稳压器高达40VDC的经营能力。该电压调节从1.2V至37V的两个外部电阻。该设备的采购能够从50mA至1.25APEAK（分钟）。保护是由片上热关断和输出电流限制电路。Intersil的HS -117RH比其他行业的优势标准类型的电路，以减少注册成立在设备的辐射和温度稳定性的影响。低剂量率可忽略不计的灵敏度达到通过使用垂直晶体管几何。与介质隔离Intersil的构造拉德硬硅门（RSG）的过程中，HS -117RH都难单事件闭锁，并经过特别设计，提供高度可靠的性能在恶劣的辐射环境。 特点 •电甄
2013-1-28
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