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P-Channel Enhancement Mode Power MOSFET

DESCRIPTION The 9435 uses advanced trench technology to provide excellent RDS(ON), low gate charge and operation with gate voltages as low as 4.5V. This device is suitable for use as a load switch or in PWM applications. GENERAL FEATURES ● VDS = -30V,ID = -5.1A RDS(ON)

HOTTECH

合科泰

SOP-8 Plastic-Encapsulate MOSFETS

Description The 9435 uses advanced trench technology to provide excellent RDS , low gate charge and operation with gate voltages as low as 4.5V. General Features VDS = -30V RDS

TUOFENG

拓锋半导体

MACHINE SCREW PAN PHILLIPS 10-32

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KEYSTONE

Keystone Electronics Corp.

20V P-Channel Increased MOS FET

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FUMAN

富满微

P-Channel 30-V (D-S) MOSFET

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VBSEMI

微碧半导体

更新时间:2026-1-2 22:50:01
IC供应商 芯片型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
SI
23+
SOP
12000
全新原装假一赔十
25+23+
SOP8
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25+
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