GaAs MMIC 6-BIT DIGITAL PHASE SHIFTER, 3 - 6 GHz

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GaAs MMIC 6-BIT DIGITAL PHASE SHIFTER, 3 - 6 GHz

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GaAs MMIC 6-BIT DIGITAL PHASE SHIFTER, 3 - 6 GHz

HMC649A/HMC649LP6

components.HMC649A是一款6位数字移相器芯片，额定频率范围为3 GHz至6 GHz，提供360度相位覆盖，LSB为5.625度。 HMC649A在所有相态具有3度的低RMS相位误差及±0.5 dB的极低插入损耗变化。 此款高精度移相器通过0/5 V的正控制逻辑控制。HMC649A采用紧凑型6 mm x 6 mm无引脚SMT塑料封装，内部匹配50 Ω，无需任何外部元件。 • 低RMS相位误差： 3度\n\n• 低插入损耗： 6.5 dB至8 dB \n\n• 高线性度： 44 dBm\n\n• 正控制逻辑;

GaAs MMIC 6-BIT DIGITAL PHASE SHIFTER, 3 - 6 GHz

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丝印代码：H649A；GaAs MMIC 6-BIT DIGITAL PHASE SHIFTER, 3 - 6 GHz

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封装/外壳：28-VQFN 裸露焊盘 功能：相移 包装：卷带（TR） 描述：IC PHASE SHIFTER DIGITAL 28QFN RF/IF，射频/中频和 RFID RF 其它 IC 和模块

GaAs MMIC 6-BIT DIGITAL PHASE SHIFTER, 3 - 6 GHz

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封装/外壳：28-VQFN 裸露焊盘 功能：相移 包装：卷带（TR） 描述：IC PHASE SHIFTER 6-BIT 28-QFN RF/IF，射频/中频和 RFID RF 其它 IC 和模块

RECTIFIER DIODE

RECTIFIER DIODE Repetitive voltage up to 2500 V Mean forward current 4645 A Surge current 45 kA

NPN SILICON POWER DARLINGTONS

PNP SILICON POWER DARLINGTONS ● Designed for Complementary Use with BD645, BD647, BD649 and BD651 ● 62.5 W at 25°C Case Temperature ● 8 A Continuous Collector Current ● Minimum hFE of 750 at 3 V , 3 A

NPN SILICON PLANAR HIGH PERFORMANCE TRANSISTOR

FEATURES * 25 Volt VCEO * 3 Amp continuous current * Low saturation voltage * Excellent hFE specified up to 6A

Silicon planer type (cathode common)

Silicon planer type (cathode common) For switching ■ Features ● High reverse voltage VR ● Low forward voltage VF ● Fast reverse recovery time trr

NPN SILICON PLANAR MEDIUM POWER TRANSISTOR

FEATURES * 25 Volt VCEO * 2 Amp continuous current * Low saturation voltage * Ptot=1 Watt APPLICATIONS * Motor driver * DC-DC converters