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位置：首页 > IC中文资料第6184页 > HMC363

HMC363价格

参考价格：￥84.1200

型号：HMC363S8GE 品牌：Analog Devices 备注：这里有HMC363多少钱，2026年最近7天走势，今日出价，今日竞价，HMC363批发/采购报价，HMC363行情走势销售排行榜，HMC363报价。
型号 功能描述 生产厂家 企业 LOGO 操作
HMC363S8G

丝印代码：HMC363；SMT GaAs HBT MMIC DIVIDE-BY-8, DC - 12 GHz

文件：540.04 Kbytes Page：6 Pages

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亚德诺

HMC363S8GE

丝印代码：HMC363；SMT GaAs HBT MMIC DIVIDE-BY-8, DC - 12 GHz

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亚德诺

HMC363S8GETR

丝印代码：HMC363；SMT GaAs HBT MMIC DIVIDE-BY-8, DC - 12 GHz

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亚德诺

HMC363S8GTR

丝印代码：HMC363；SMT GaAs HBT MMIC DIVIDE-BY-8, DC - 12 GHz

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亚德诺

HMC363

GaAs HBT MMIC DIVIDE-BY-8, DC - 12.0 GHz

General Description The HMC363 is a low noise Divide-by-8 Static Divider with InGaP GaAs HBT technology that has a small size of 1.45 x 0.69 mm. This device operates from DC (with a square wave input) to 12 GHz input frequency with a single +5V DC supply. The low additive SSB phase noise of -15

HITTITE

HMC363

GaAs HBT MMIC DIVIDE-BY-8, DC - 12 GHz

文件：212.35 Kbytes Page：6 Pages

HITTITE

HMC363

封装/外壳：模具 功能：除以 8 包装：带 描述：IC FREQ DIVID DC-10GHZ DIE RF/IF，射频/中频和 RFID RF 其它 IC 和模块

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亚德诺

HMC363

GaAs HBT MMIC DIVIDE-BY-8, DC - 12 GHz

文件：201.76 Kbytes Page：6 Pages

HITTITE

HMC363

Wide Bandwidth

文件：847.8 Kbytes Page：9 Pages

MICROSS

HMC363

GaAs HBT MMIC DIVIDE-BY-8, DC - 12 GHz

文件：311.56 Kbytes Page：6 Pages

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亚德诺

HMC363_07

GaAs HBT MMIC DIVIDE-BY-8, DC - 12 GHz

文件：212.35 Kbytes Page：6 Pages

HITTITE

HMC363_09

GaAs HBT MMIC DIVIDE-BY-8, DC - 12 GHz

文件：201.76 Kbytes Page：6 Pages

HITTITE

HMC363-Die

InGaP HBT 8分频芯片，DC - 12 GHz

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亚德诺

HMC363G8

InGaP HBT 8分频密封型SMT封装，DC - 12 GHz

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亚德诺

HMC363G8

SMT GaAs HBT MMIC DIVIDE-BY-8, DC - 12 GHz

文件：324.98 Kbytes Page：6 Pages

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亚德诺

HMC363G8

SMT GaAs HBT MMIC DIVIDE-BY-8, DC - 12 GHz

文件：210.53 Kbytes Page：6 Pages

HITTITE

HMC363G8

SMT GaAs HBT MMIC DIVIDE-BY-8, DC - 12 GHz

文件：278.87 Kbytes Page：6 Pages

HITTITE

HMC363G8

SMT GaAs HBT MMIC DIVIDE-BY-8, DC - 12.0 GHz

文件：277.04 Kbytes Page：6 Pages

HITTITE

HMC363G8_07

SMT GaAs HBT MMIC DIVIDE-BY-8, DC - 12 GHz

文件：278.87 Kbytes Page：6 Pages

HITTITE

HMC363G8_08

SMT GaAs HBT MMIC DIVIDE-BY-8, DC - 12 GHz

文件：210.53 Kbytes Page：6 Pages

HITTITE

HMC363S8G

SMT GaAs HBT MMIC DIVIDE-BY-8, DC - 12.0 GHz

文件：358.85 Kbytes Page：6 Pages

HITTITE

HMC363S8G

SMT GaAs HBT MMIC DIVIDE-BY-8, DC - 12.0 GHz

文件：261.07 Kbytes Page：6 Pages

HITTITE

HMC363S8G

SMT GaAs HBT MMIC DIVIDE-BY-8, DC - 12 GHz

文件：233.69 Kbytes Page：6 Pages

HITTITE

HMC363S8G

封装/外壳：8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽）裸露焊盘 功能：预定标器 包装：带 描述：IC FREQ DIVIDER DC-12GHZ 8SMD RF/IF，射频/中频和 RFID RF 其它 IC 和模块

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亚德诺

HMC363S8G

SMT GaAs HBT MMIC 8分频，DC - 12 GHz

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亚德诺

HMC363S8G_06

SMT GaAs HBT MMIC DIVIDE-BY-8, DC - 12.0 GHz

文件：358.85 Kbytes Page：6 Pages

HITTITE

HMC363S8G_09

SMT GaAs HBT MMIC DIVIDE-BY-8, DC - 12 GHz

文件：233.69 Kbytes Page：6 Pages

HITTITE

HMC363S8GE

SMT GaAs HBT MMIC DIVIDE-BY-8, DC - 12 GHz

文件：233.69 Kbytes Page：6 Pages

HITTITE

DTC363TK

丝印代码：T146；Digital transistors (built-in resistor)

Features In addition to the features of regular digital transistors, 1) Low VCE(sat) makes these transistors optimal for muting circuits. VCE(sat) = 40mV (Typ.) (IC/IB = 50mA/2.5mA) 2) They can be used at high current (IC = 600mA).

ROHM

罗姆

NTE363

Silicon NPN Transistor RF Power Amp, PO = 4W

Description: The NTE363 is a 12.5V epitaxial silicon NPN planer transistor designed primarily for UHF communications. Features: ● Designed for UHF Military and Commercial Equipment ● 4W (Min) with Greater than 8dB Gain ● Withstands Infinite VSWR Under Operating Conditions ● Low Inductance St

NTE

363D

LM363 Precision Instrumentation Amplifier

文件：452.17 Kbytes Page：22 Pages

NSC

国半

DTC363ES

丝印代码：C363ES；Digital transistors (built-in resistors)

文件：105.46 Kbytes Page：4 Pages

ROHM

罗姆

LM363

LM363 Precision Instrumentation Amplifier

文件：452.17 Kbytes Page：22 Pages

NSC

国半

HMC363产品属性

  • 类型

    描述

  • 型号

    HMC363

  • 制造商

    HITTITE

  • 制造商全称

    Hittite Microwave Corporation

  • 功能描述

    GaAs HBT MMIC DIVIDE-BY-8, DC - 12 GHz

HMC363供应商更多...

更新时间：2026-3-17 9:19:00
IC供应商 芯片型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
深圳市中联芯电子有限公司
HMC363S8GTR
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深圳市华高宇电子有限公司
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深圳市众芯源半导体有限公司
HMC363S8GETR
ADI(亚德诺)
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