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型号 功能描述 生产厂家 企业 LOGO 操作
HM6804D

丝印代码:6804;Dual N-Channel Enhancement Mode Power MOSFET

文件:313.97 Kbytes Page:5 Pages

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HM6804D

双N沟道 低压MOS

HMPOWERSEMI

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Dual N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor

General Description The AO6804 uses advanced trench technology to provide excellent RDS(ON), low gate charge and operation with gate voltages as low as 2.5V. This device is suitable for use as a load switch or in PWM applications. AO6804 is Pb-free (meets ROHS & Sony 259 specifications). Fea

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ETCList of Unclassifed Manufacturers

未分类制造商

HM6804D产品属性

  • 类型

    描述

  • 封装(Package):

    SOT23-6L

  • 沟道(Polarity):

    双N沟道

  • VDS(Max)BVDSS(V):

    20.00V

  • ID(Max)ID(A):

    0.90A

  • IDM:

    3.60A

  • VTH(Typ):

    0.45V

  • VGS:

    8.00V

  • RDS(ON)@-10VTyp(mΩ):

    0.00mΩ

  • RDS(ON)@-4.5VTyp(mΩ):

    220.00mΩ

  • RDS(ON)@-2.5VTyp(mΩ):

    260.00mΩ

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