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HM6264BI

64k SRAM (8-kword x 8-bit) Wide Temperature Range version

Description The Hitachi HM6264BI is 64k-bit static RAM organized 8-kword × 8-bit. It realizes higher performance and low power consumption by 1.5 µm CMOS process technology. The device, packaged in 450 mil SOP (foot print pitch width), 600 mil plastic DIP, is available for high density mounting.

HITACHIHitachi Semiconductor

日立日立公司

8192-word x 8-bit High Speed CMOS Static RAM

HITACHIHitachi Semiconductor

日立日立公司

8K x 8 Bit Fast Static RAM

The MCM6264C is fabricated using Motorola’s high–performance silicon–gate CMOS technology. Static design eliminates the need for external clocks or timing strobes, while CMOS circuitry reduces power consumption and provides for greater reliability. This device meets JEDEC standards for functional

MOTOROLA

摩托罗拉

8KX8-Bit CMOS SRAM

文件:492.22 Kbytes Page:6 Pages

HYNIX

海力士

High Speed Operational Amplifier

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NSC

国半

High Speed Operational Amplifier

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NSC

国半

HM6264BI产品属性

  • 类型

    描述

  • 型号

    HM6264BI

  • 制造商

    HITACHI

  • 制造商全称

    Hitachi Semiconductor

  • 功能描述

    64k SRAM(8-kword x 8-bit) Wide Temperature Range version

更新时间:2026-8-2 16:30:00
IC供应商 芯片型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
HUAYAMICRO
24+
LQFP48
830
HM
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DIP-8
9600
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HUAYA
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85600
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HUAYAMICRO
0709+
TQFP48
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BUSSMANN/巴斯曼
23+
标准封装
5000
原厂授权一级代理 IGBT模块 可控硅 晶闸管 熔断器质保
华晶微
23+
DIP8
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26+
N/A
58000
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HUAYAMICRO
25+
LQFP48
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HM
2026+
DIP-8
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