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HM4443

P沟道 低压MOS

hmpowersemi

虹美功率

P-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor

Description The ACE4443B uses advanced trench technology to provide excellent RDS(ON), and ultra-low low gate charge. This device is suitable for use as a load switch or in PWM applications. Features • VDS(V)=-40V • ID=-6A (VGS=-10V) • RDS(ON)

ACE

P-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor

General Description The AO4443 uses advanced trench technology to provide excellent RDS(ON), and ultra-low low gate charge. This device is suitable for use as a load switch or in PWM applications. Standard Product AO4443 is Pb-free (meets ROHS & Sony 259 specifications). AO4443L is a Green Pr

AOSMD

万国半导体

P-Channel MOSFET

■ Features ● VDS (V) =-40V ● ID =-6.5 A (VGS =-10V) ● RDS(ON)

KEXIN

科信电子

DELAY MODULES,TTL,SURFACE MOUNTED

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ETCList of Unclassifed Manufacturers

未分类制造商

Fail-safe feature of the RHFLVDS32A and RHFLVDSR2D2

文件:97.85 Kbytes Page:3 Pages

STMICROELECTRONICS

意法半导体

更新时间:2025-11-5 13:18:00
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  • HLW8032

    深圳科雨电子有限公司,联系人:卢小姐 手机:18975515225 原装正品 大量现货,有需要的可以联系我 QQ:97877805 微信:wei555222777

    2020-10-23
  • HM50464P-12十年IC,只做原装

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