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HLDD30N10

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KERSEMI

HLDD30N10

N-Channel Enhancement Mode Power MOSFET

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HUILIDAShenzhen hui lida electronic co., LTD

汇利达广东汇利达半导体有限公司

isc N-Channel MOSFET Transistor

• FEATURES • Drain Current :ID= 20A@ TC=25℃ • Drain Source Voltage- : VDSS= 100V(Min) • Static Drain-Source On-Resistance : RDS(on) = 50mΩ (Max) • 100 avalanche tested • Minimum Lot-to-Lot variations for robust device performance and reliable operation • APPLICATIONS • LED backl

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长电科技

N-Channel MOSFET uses advanced trench technology

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DOINGTER

杜因特

更新时间:2025-9-27 22:59:00
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