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| 型号 | 功能描述 | 生产厂家&企业 | LOGO | 操作 |
|---|---|---|---|---|
HITK0302MP | Silicon N Channel MOS FET Power Switching Features • Low on-resistance RDS(on) = 92 mΩ typ (VGS = 10 V, ID = 1.3 A) • Low drive current • High speed switching • 4.5 V gate drive | RENESASRenesas Technology Corp 瑞萨瑞萨科技有限公司 |  |   |
Silicon N Channel MOS FET Power Switching Features • Low on-resistance RDS(on) = 92 mΩ typ (VGS = 10 V, ID = 1.3 A) • Low drive current • High speed switching • 4.5 V gate drive | RENESASRenesas Technology Corp 瑞萨瑞萨科技有限公司 | | | |
Silicon N Channel MOS FET Power Switching 文件：102.99 Kbytes Page：7 Pages | RENESASRenesas Technology Corp 瑞萨瑞萨科技有限公司 | | | |
Silicon N Channel MOS FET Power Switching 文件：102.99 Kbytes Page：7 Pages | RENESASRenesas Technology Corp 瑞萨瑞萨科技有限公司 | | | |
Chip Inductors 文件：216.63 Kbytes Page：2 Pages | COILCRAFTCoilcraft lnc. 线艺美国线艺公司 |  | | |
DDR SDRAM Buffer for Desktop PCs with 4 DDR DIMMS 文件：63.09 Kbytes Page：6 Pages | ABRACON Abracon Corporation |  | | |
DDR SDRAM Buffer for Desktop PCs with 4 DDR DIMMS 文件：63.09 Kbytes Page：6 Pages | ABRACON Abracon Corporation | | | |
DDR SDRAM Buffer for Desktop PCs with 4 DDR DIMMS 文件：63.09 Kbytes Page：6 Pages | ABRACON Abracon Corporation | | | |
DC POWER JACKS PC BOARD AND PANEL MOUNT 文件：138.12 Kbytes Page：1 Pages | ADAM-TECHAdam Technologies, Inc. 亚当科技亚当科技股份有限公司 |  | |
| IC供应商 | 芯片型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
RENESAS |
1321+ |
SOT-23 |
1900 |
一级代理,专注军工、汽车、医疗、工业、新能源、电力 |
|||
RENESAS |
1822+ |
SOT-23 |
6852 |
只做原装正品假一赔十为客户做到零风险!! |
|||
RENESAS/瑞萨 |
23+ |
SOT23-3 |
50000 |
只做原装正品 |
|||
RENESAS/瑞萨 |
23+ |
SOT-23 |
12500 |
全新原装现货热卖,价格优势 |
|||
Renesas |
19+ |
MPAKSC-59 |
200000 |
||||
Renesas |
23+ |
MPAKSC-59 |
7300 |
专注配单,只做原装进口现货 |
|||
RENESAS/瑞萨 |
新年份 |
MPAKSC-59 |
85400 |
原装正品大量现货,要多可发货,实单带接受价来谈! |
|||
VBSEMI/微碧半导体 |
24+ |
SOT23 |
7800 |
全新原厂原装正品现货,低价出售,实单可谈 |
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RENESAS/瑞萨 |
2019+ |
sot23 |
36000 |
原盒原包装 可BOM配套 |
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RENESAS/瑞萨 |
23+ |
SOT23 |
25900 |
原厂授权一级代理,专业海外优势订货,价格优势、品种 |
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2020-8-28HK4100F-DC12V-SHG
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2019-7-26HIP6603-同步整流降压MOSFET驱动器
同步整流MOSFET的降压驱动程序 HIP6601和HIP6603的高频率，双MOSFET驱动器专门设计用于驱动两个功率N沟道MOSFET在同步整流降压转换器。与HIP630x结合这些驱动程序多相降压PWM控制器和Intersil UltraFETs™形成一个完整的核心电压调节器解决方案先进的微处理器。驱动的HIP6601在同步整流更低的栅极大桥至12V，而高门可以独立推动在一个范围从5V至12V。驱动器的HIP6603以上为5V至12V范围内的上下门。这驱动电压的灵活性提供了优化的优势应用领域涉及开关损耗之间的权衡 和传导损耗。在HIP6601和HI
2013-3-3
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