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| 型号 | 功能描述 | 生产厂家 企业 | LOGO | 操作 |
|---|---|---|---|---|
HITK0302MP | Silicon N Channel MOS FET Power Switching Features • Low on-resistance RDS(on) = 92 mΩ typ (VGS = 10 V, ID = 1.3 A) • Low drive current • High speed switching • 4.5 V gate drive | RENESAS 瑞萨 |   | |
HITK0302MP | Silicon N Channel MOS FET Power Switching | RENESAS 瑞萨 | | |
Silicon N Channel MOS FET Power Switching Features • Low on-resistance RDS(on) = 92 mΩ typ (VGS = 10 V, ID = 1.3 A) • Low drive current • High speed switching • 4.5 V gate drive | RENESAS 瑞萨 | | ||
Silicon N Channel MOS FET Power Switching 文件：102.99 Kbytes Page：7 Pages | RENESAS 瑞萨 | | ||
Silicon N Channel MOS FET Power Switching 文件：102.99 Kbytes Page：7 Pages | RENESAS 瑞萨 | | ||
Chip Inductors 文件：216.63 Kbytes Page：2 Pages | COILCRAFT | | ||
DDR SDRAM Buffer for Desktop PCs with 4 DDR DIMMS 文件：63.09 Kbytes Page：6 Pages | ABRACON | | ||
DDR SDRAM Buffer for Desktop PCs with 4 DDR DIMMS 文件：63.09 Kbytes Page：6 Pages | ABRACON | | ||
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DC POWER JACKS PC BOARD AND PANEL MOUNT 文件：138.12 Kbytes Page：1 Pages | ADAM-TECH 亚当科技 | |
| IC供应商 | 芯片型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
RENESAS |
2023+ |
SOT-23 |
8800 |
正品渠道现货 终端可提供BOM表配单。 |
|||
RENESAS/瑞萨 |
24+ |
NA/ |
3920 |
优势代理渠道,原装正品,可全系列订货开增值税票 |
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RENESAS |
2016+ |
SOT-23 |
19100 |
只做原装,假一罚十,公司可开17%增值税发票! |
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RENESAS/瑞萨 |
25+ |
SOT-23 |
20300 |
RENESAS/瑞萨原装特价HITK0302MP即刻询购立享优惠#长期有货 |
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RENESAS |
原厂封装 |
9800 |
原装进口公司现货假一赔百 |
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Renesas |
19+ |
MPAKSC-59 |
200000 |
||||
RENESAS/瑞萨 |
新年份 |
MPAKSC-59 |
85400 |
原装正品大量现货,要多可发货,实单带接受价来谈! |
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RENESAS/瑞萨 |
25+ |
SOT-23 |
12500 |
全新原装现货热卖,价格优势 |
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VBSEMI/微碧半导体 |
24+ |
SOT23 |
7800 |
全新原厂原装正品现货,低价出售,实单可谈 |
|||
RENESAS/瑞萨 |
2450+ |
SOT23-3 |
6540 |
只做原装正品现货或订货!终端客户免费申请样品! |
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2020-8-28HK4100F-DC12V-SHG
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2019-7-26HIP6603-同步整流降压MOSFET驱动器
同步整流MOSFET的降压驱动程序 HIP6601和HIP6603的高频率，双MOSFET驱动器专门设计用于驱动两个功率N沟道MOSFET在同步整流降压转换器。与HIP630x结合这些驱动程序多相降压PWM控制器和Intersil UltraFETs™形成一个完整的核心电压调节器解决方案先进的微处理器。驱动的HIP6601在同步整流更低的栅极大桥至12V，而高门可以独立推动在一个范围从5V至12V。驱动器的HIP6603以上为5V至12V范围内的上下门。这驱动电压的灵活性提供了优化的优势应用领域涉及开关损耗之间的权衡 和传导损耗。在HIP6601和HI
2013-3-3
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