| 型号 | 功能描述 | 生产厂家 企业 | LOGO | 操作 |
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N-channel dual-gate MOS-FETs DESCRIPTION Enhancement type N-channel field-effect transistor with source and substrate interconnected. Integrated diodes between gates and source protect against excessive input voltage surges. The BF1101, BF1101R and BF1101WR are encapsulated in the SOT143B, SOT143R and SOT343R plastic package | PHILIPS 飞利浦 |   | ||
N-channel dual-gate MOS-FETs DESCRIPTION Enhancement type N-channel field-effect transistor with source and substrate interconnected. Integrated diodes between gates and source protect against excessive input voltage surges. The BF1101, BF1101R and BF1101WR are encapsulated in the SOT143B, SOT143R and SOT343R plastic package | PHILIPS 飞利浦 | | ||
Integrated Circuit General Purpose Amp, Mixer, and Oscillator Features: • General Amplifier Circuit • High Frequency Amplifier • Mixer, OSC and Modulator • Video Amplifier • Recommend RF and IF Amplifier (f = 0 to 100MHz) • AGC is possible | NTE | | ||
Universal sync generator USG GENERAL DESCRIPTION The SAA1101 is a Universal Sync Generator (USG) and is designed for application in video sources such as cameras, film scanners, video generators and associated apparatus. The circuit can be considered as a successor to the SAA1043 sync generator and the SAA1044 subcarrier cou | PHILIPS 飞利浦 | | ||
WIDE BAND AGC AMPLIFIER GaAs MMIC 文件：337.64 Kbytes Page：15 Pages | NJRC 日本无线 | |
| IC供应商 | 芯片型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
NTE |
DO-41 |
5 |
一级代理,专注军工、汽车、医疗、工业、新能源、电力 |
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CD |
24+ |
SOP-8 |
20000 |
全新原厂原装，进口正品现货，正规渠道可含税！！ |
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MURATA/村田 |
21+ |
SMD8 |
1709 |
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MURATA(村田) |
23+ |
NA |
20094 |
正纳10年以上分销经验原装进口正品做服务做口碑有支持 |
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MURATA |
23+ |
NA |
1500 |
专业电子元器件供应链正迈科技特价代理特价，原装元器件供应，支持开发样品 |
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CD |
2025+ |
SOP-8 |
4165 |
全新原厂原装产品、公司现货销售 |
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NTE |
23+ |
39145 |
原厂授权一级代理,专业海外优势订货,价格优势、品种 |
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C&D |
23+ |
SOP-8 |
66600 |
专业芯片配单原装正品假一罚十 |
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OTAX |
DIP-3 |
35560 |
一级代理 原装正品假一罚十价格优势长期供货 |
||||
MURATA/村田 |
25+ |
SMD8 |
15000 |
全新原装现货,价格优势 |
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2020-8-28HK4100F-DC12V-SHG
HK4100F-DC12V-SHG，当天发货0755-82732291全新原装现货或门市自取.
2020-8-14HIP6603-同步整流降压MOSFET驱动器
同步整流MOSFET的降压驱动程序 HIP6601和HIP6603的高频率，双MOSFET驱动器专门设计用于驱动两个功率N沟道MOSFET在同步整流降压转换器。与HIP630x结合这些驱动程序多相降压PWM控制器和Intersil UltraFETs™形成一个完整的核心电压调节器解决方案先进的微处理器。驱动的HIP6601在同步整流更低的栅极大桥至12V，而高门可以独立推动在一个范围从5V至12V。驱动器的HIP6603以上为5V至12V范围内的上下门。这驱动电压的灵活性提供了优化的优势应用领域涉及开关损耗之间的权衡 和传导损耗。在HIP6601和HI
2013-3-3HIP6602-双通道同步整流降压MOSFET驱动器
双通道同步整流降压MOSFET驱动器 该HIP6602是一个高频率，两间电力通道MOSFET驱动器专门设计用于驱动四个电源N沟道MOSFET在同步整流降压转换器。与HIP63xx结合这些驱动程序系列多相降压PWM控制器和Intersil的UltraFETs®形成一个完整的核心电压稳压器解决方案先进的微处理器。在驱动器的HIP6602上下都是一个盖茨范围为5V至12V。这个驱动电压提供了灵活性优化应用程序中受益，涉及权衡之间的开关损耗和传导损耗。在HIP6602输出驱动器有能力在高效率开关频率功率MOSFET。每个司机是驾驶一辆带有30ns一个3000pF负载的能力传播
2013-3-3
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