位置：首页 > IC中文资料第4841页 > HIRL5015
| 型号 | 功能描述 | 生产厂家&企业 | LOGO | 操作 |
|---|---|---|---|---|
EvaluatingtheADL8142GaAs,pHEMT,MMIC,LowNoiseAmplifier,23GHzto31GHz GENERALDESCRIPTION TheADL8142-EVALZconsistsofa4-layerprintedcircuitboard (PCB)fabricatedfrom8milthick,Rogers4003CandIsola370HR, copperclad,forminganominalthicknessof62mils.TheRFINand RFOUTportsontheADL8142-EVALZarepopulatedwith 2.92mm,femalecoaxialconn | ADAnalog Devices 亚德诺亚德诺半导体技术有限公司 |  |   | |
EiceDRIVER™enhanced1EDI302xAS/1EDI303xASevaluationboard TheEiceDRIVER™enhanced1EDI302xAS/1EDI303xASevaluationboardisaversatileevaluationplatformforthe EiceDRIVER™enhanced1EDI302xAS/1EDI303xASfamily.Itfeaturesahalfbridgeconfiguration,seeFigure1. ThereistheoptiontomounteithertheHybridPACK™DSCIGBTmoduleoradiscreteP | InfineonInfineon Technologies AG 英飞凌英飞凌科技股份公司 |  | | |
MIL-C-5015Connectors 文件：645.95 Kbytes Page：15 Pages | ITT ITT Industries |  | | |
WirelessPowerReceiverfor15WApplications 文件：1.40894 Mbytes Page：35 Pages | IDT Integrated Device Technology, Inc. |  | | |
BoardtoBoardConnector 文件：430.35 Kbytes Page：3 Pages | KSSKyocera Kinseki Corpotation 京瓷京瓷株式会社 |  | |
HIRL5015产品属性
- 类型
描述
- 型号
HIRL5015
- 制造商
Rodan
- 功能描述
IR EMITTER HIRL5015
| IC供应商 | 芯片型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
MOLEX/莫仕 |
2508+ |
/ |
182881 |
一级代理，原装现货 |
|||
Keystone Electronics Corp |
24+ |
N/A |
8656 |
原厂可订货,技术支持,直接渠道。可签保供合同 |
|||
MOLEX |
21+ |
CONNECTOR |
21000 |
十年信誉,只做原装,有挂就有现货! |
|||
MOLEX |
24+ |
Connecror |
45000 |
MOLEX原装现货.现货.现货 |
|||
KEYSTONE ELECTRONICS |
17+ |
SMD |
111 |
一级代理,专注军工、汽车、医疗、工业、新能源、电力 |
|||
MOLEX |
24+ |
SMD |
12919 |
原厂授权代理 价格绝对优势 |
|||
KEYSTONE ELECTRONICS |
21+ |
SMD |
43032 |
原装现货假一赔十 |
|||
KEYSTONE |
24+ |
con |
10000 |
查现货到京北通宇商城 |
|||
MOLEX |
2021+ |
6800 |
原厂原装,欢迎咨询 |
||||
KEYSTONEELECTRONICS |
23+ |
NA |
12730 |
原装正品代理渠道价格优势 |
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2020-8-28HIP6603-同步整流降压MOSFET驱动器
同步整流MOSFET的降压驱动程序HIP6601和HIP6603的高频率，双MOSFET驱动器专门设计用于驱动两个功率N沟道MOSFET在同步整流降压转换器。与HIP630x结合这些驱动程序多相降压PWM控制器和IntersilUltraFETs™形成一个完整的核心电压调节器解决方案先进的微处理器。驱动的HIP6601在同步整流更低的栅极大桥至12V，而高门可以独立推动在一个范围从5V至12V。驱动器的HIP6603以上为5V至12V范围内的上下门。这驱动电压的灵活性提供了优化的优势应用领域涉及开关损耗之间的权衡和传导损耗。在HIP6601和HI
2013-3-3HIP6602-双通道同步整流降压MOSFET驱动器
双通道同步整流降压MOSFET驱动器该HIP6602是一个高频率，两间电力通道MOSFET驱动器专门设计用于驱动四个电源N沟道MOSFET在同步整流降压转换器。与HIP63xx结合这些驱动程序系列多相降压PWM控制器和Intersil的UltraFETs®形成一个完整的核心电压稳压器解决方案先进的微处理器。在驱动器的HIP6602上下都是一个盖茨范围为5V至12V。这个驱动电压提供了灵活性优化应用程序中受益，涉及权衡之间的开关损耗和传导损耗。在HIP6602输出驱动器有能力在高效率开关频率功率MOSFET。每个司机是驾驶一辆带有30ns一个3000pF负载的能力传播
2013-3-3HIP6601-同步整流降压MOSFET驱动器
同步整流MOSFET的降压驱动程序HIP6601和HIP6603的高频率，双MOSFET驱动器专门设计用于驱动两个功率N沟道MOSFET在同步整流降压转换器。与HIP630x结合这些驱动程序多相降压PWM控制器和IntersilUltraFETs™形成一个完整的核心电压调节器解决方案先进的微处理器。驱动的HIP6601在同步整流更低的栅极大桥至12V，而高门可以独立推动在一个范围从5V至12V。驱动器的HIP6603以上为5V至12V范围内的上下门。这驱动电压的灵活性提供了优化的优势应用领域涉及开关损耗之间的权衡和传导损耗。在HIP
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