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| 型号 | 功能描述 | 生产厂家 企业 | LOGO | 操作 |
|---|---|---|---|---|
Evaluating the ADL8142 GaAs, pHEMT, MMIC, Low Noise Amplifier, 23 GHz to 31 GHz GENERAL DESCRIPTION The ADL8142-EVALZ consists of a 4-layer printed circuit board (PCB) fabricated from 8 mil thick, Rogers 4003C and Isola 370HR, copper clad, forming a nominal thickness of 62 mils. The RFIN and RFOUT ports on the ADL8142-EVALZ are populated with 2.92 mm, female coaxial conn | AD 亚德诺 |   | ||
EiceDRIVER™ enhanced 1EDI302xAS/1EDI303xAS evaluation board The EiceDRIVER™ enhanced 1EDI302xAS/1EDI303xAS evaluation board is a versatile evaluation platform for the EiceDRIVER™ enhanced 1EDI302xAS/1EDI303xAS family. It features a half bridge configuration, see Figure 1. There is the option to mount either the HybridPACK™ DSC IGBT module or a discrete P | Infineon 英飞凌 | | ||
MIL-C-5015 Connectors 文件：645.95 Kbytes Page：15 Pages | ITT | | ||
Wireless Power Receiver for 15W Applications 文件：1.40894 Mbytes Page：35 Pages | IDT | | ||
Board to Board Connector 文件：430.35 Kbytes Page：3 Pages | KSS 京瓷 | |
HIRL5015产品属性
- 类型
描述
- 型号
HIRL5015
- 制造商
Rodan
- 功能描述
IR EMITTER HIRL5015
| IC供应商 | 芯片型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
MOLEX |
25+ |
SMD |
518000 |
明嘉莱只做原装正品现货 |
|||
Keystone Electronics Corp |
24+ |
N/A |
8656 |
原厂可订货,技术支持,直接渠道。可签保供合同 |
|||
Molex |
25+23+ |
SMD |
35962 |
绝对原装正品全新进口深圳现货 |
|||
MOLEX/莫仕 |
2023+ |
SMD |
12919 |
十五年行业诚信经营,专注全新正品 |
|||
MOLEX/莫仕 |
2025+ |
connector |
5000 |
原装进口价格优 请找坤融电子! |
|||
Molex/WaldomElectronicsC |
24+ |
220 |
|||||
MOLEX/莫仕 |
2508+ |
/ |
182881 |
一级代理，原装现货 |
|||
MOLEX |
24+ |
6780 |
原装现货 |
||||
MOLEX |
25+ |
331 |
公司优势库存 热卖中! |
||||
MOLEX/莫仕 |
2403+ |
SMD |
6489 |
原装现货热卖!十年芯路!坚持! |
HIRL5015规格书下载地址
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2021-6-2HISILICON海思 HI3519ARFCV100
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2020-8-28HIP6603-同步整流降压MOSFET驱动器
同步整流MOSFET的降压驱动程序 HIP6601和HIP6603的高频率，双MOSFET驱动器专门设计用于驱动两个功率N沟道MOSFET在同步整流降压转换器。与HIP630x结合这些驱动程序多相降压PWM控制器和Intersil UltraFETs™形成一个完整的核心电压调节器解决方案先进的微处理器。驱动的HIP6601在同步整流更低的栅极大桥至12V，而高门可以独立推动在一个范围从5V至12V。驱动器的HIP6603以上为5V至12V范围内的上下门。这驱动电压的灵活性提供了优化的优势应用领域涉及开关损耗之间的权衡 和传导损耗。在HIP6601和HI
2013-3-3HIP6602-双通道同步整流降压MOSFET驱动器
双通道同步整流降压MOSFET驱动器 该HIP6602是一个高频率，两间电力通道MOSFET驱动器专门设计用于驱动四个电源N沟道MOSFET在同步整流降压转换器。与HIP63xx结合这些驱动程序系列多相降压PWM控制器和Intersil的UltraFETs®形成一个完整的核心电压稳压器解决方案先进的微处理器。在驱动器的HIP6602上下都是一个盖茨范围为5V至12V。这个驱动电压提供了灵活性优化应用程序中受益，涉及权衡之间的开关损耗和传导损耗。在HIP6602输出驱动器有能力在高效率开关频率功率MOSFET。每个司机是驾驶一辆带有30ns一个3000pF负载的能力传播
2013-3-3HIP6601-同步整流降压MOSFET驱动器
同步整流MOSFET的降压驱动程序 HIP6601和HIP6603的高频率，双MOSFET驱动器专门设计用于驱动两个功率 N沟道MOSFET在同步整流降压转换器。与HIP630x结合这些驱动程序多相降压PWM控制器和Intersil UltraFETs™形成一个完整的核心电压调节器解决方案 先进的微处理器。驱动的HIP6601在同步整流更低的栅极大桥至12V，而高门可以独立推动在一个范围从5V至12V。驱动器的HIP6603以上为5V至12V范围内的上下门。这驱动电压的灵活性提供了优化的优势应用领域涉及开关损耗之间的权衡和传导损耗。在HIP
2013-3-3
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