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HIRF840	N-ChannelPowerMOSFET 文件：47.01 Kbytes Page：4 Pages	HSMCHi-Sincerity Mocroelectronics 华昕华昕科技有限公司
HIRF840F	N-ChannelPowerMOSFET 文件：47.01 Kbytes Page：4 Pages	HSMCHi-Sincerity Mocroelectronics 华昕华昕科技有限公司
840B	SurfaceMountZenerDiodes Features ●latHandlingSurfaceforAccuratePlacement ●tandardZenerBreakdownVoltageRange-3.3Vto68V ●owProfilePackage	KEXINGuangdong Kexin Industrial Co.,Ltd 科信电子广东科信实业有限公司
840	8A500VN-channelEnhancementModePowerMOSFET 文件：1.63311 Mbytes Page：12 Pages	WXDHJiangsu Donghai Semiconductor Technology Co.,Ltd 东海半导体江苏东海半导体股份有限公司
840H	9Amps竊?00VN-CHANNELMOSFET 文件：122.87 Kbytes Page：5 Pages	KIAKIA Semiconductor Technology 可易亚半导体广东可易亚半导体科技有限公司
840S	8A竊?00VN-CHANNELMOSFET 文件：215.89 Kbytes Page：6 Pages	KIAKIA Semiconductor Technology 可易亚半导体广东可易亚半导体科技有限公司
840U	8A500VN-CHANNELMOSFET 文件：242.9 Kbytes Page：7 Pages	KIAKIA Semiconductor Technology 可易亚半导体广东可易亚半导体科技有限公司

HIRF840产品属性

类型
描述
型号
HIRF840
制造商
HSMC
制造商全称
HSMC
功能描述
N-Channel Power MOSFET

HIRF840供应商更多...

更新时间：2025-5-15 14:14:00

IC供应商	芯片型号	品牌	批号	封装	库存	备注	价格
深圳市湘达电子科技有限公司	HIRPMSD000C/FLINT01	TELECOMCONNECTIONS	2022+	NA	5000	只做原装,价格优惠,长期供货。	询价
易创佳业科技（深圳）有限公司	HIRF840	H	23+	TO220AB	6000	原装正品，支持实单	询价
深圳市河锋鑫科技有限公司	HIRF840	H	22+	TO220AB	6000	十年配单,只做原装	询价
深圳市科恒伟业电子有限公司	HIRF840	华昕	2048+	TO-220AB	9851	只做原装正品现货!或订货假一赔十!	询价
深圳市明嘉莱科技有限公司	HiS0169A	YUYANG	25+	NA	880000	明嘉莱只做原装正品现货	询价
深圳市弘为电子有限公司	HIRSHMANN	HONEY	24+	原厂封装	5000	原装现货假一罚十	询价
深圳市芯福林电子科技有限公司	HIRK315AP	RF Solutions	21+	Module	13880	公司只售原装,支持实单	询价
贸泽芯城（深圳）电子科技有限公司	HIRP1608Q06-B30	CT	23+	SMD	20000	原厂授权一级代理,专业海外优势订货,价格优势、品种	询价
深圳市勤思达科技有限公司	HIS0169C	SANYO	1215+	SIP-7	150000	全新原装,绝对正品,公司大量现货供应.	询价
艾睿国际（香港）有限公司	HIROSEELECTRIC-PCN10EA-96S-2.54DSA	N/A	2447	SMD	100500	一级代理专营品牌!原装正品,优势现货,长期排单到货	询价

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Hirose、TE.JST、JAE、AMP等品牌原装进口连接器材！
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2021-9-17
HK32F103C8T6
HK32F103C8T6
2021-6-2
HISILICON海思 HI3519ARFCV100
HISILICON海思HI3519ARFCV100
2020-8-28
HIP6603-同步整流降压MOSFET驱动器
同步整流MOSFET的降压驱动程序HIP6601和HIP6603的高频率，双MOSFET驱动器专门设计用于驱动两个功率N沟道MOSFET在同步整流降压转换器。与HIP630x结合这些驱动程序多相降压PWM控制器和IntersilUltraFETs™形成一个完整的核心电压调节器解决方案先进的微处理器。驱动的HIP6601在同步整流更低的栅极大桥至12V，而高门可以独立推动在一个范围从5V至12V。驱动器的HIP6603以上为5V至12V范围内的上下门。这驱动电压的灵活性提供了优化的优势应用领域涉及开关损耗之间的权衡和传导损耗。在HIP6601和HI
2013-3-3
HIP6602-双通道同步整流降压MOSFET驱动器
双通道同步整流降压MOSFET驱动器该HIP6602是一个高频率，两间电力通道MOSFET驱动器专门设计用于驱动四个电源N沟道MOSFET在同步整流降压转换器。与HIP63xx结合这些驱动程序系列多相降压PWM控制器和Intersil的UltraFETs®形成一个完整的核心电压稳压器解决方案先进的微处理器。在驱动器的HIP6602上下都是一个盖茨范围为5V至12V。这个驱动电压提供了灵活性优化应用程序中受益，涉及权衡之间的开关损耗和传导损耗。在HIP6602输出驱动器有能力在高效率开关频率功率MOSFET。每个司机是驾驶一辆带有30ns一个3000pF负载的能力传播
2013-3-3
HIP6601-同步整流降压MOSFET驱动器
同步整流MOSFET的降压驱动程序HIP6601和HIP6603的高频率，双MOSFET驱动器专门设计用于驱动两个功率N沟道MOSFET在同步整流降压转换器。与HIP630x结合这些驱动程序多相降压PWM控制器和IntersilUltraFETs™形成一个完整的核心电压调节器解决方案先进的微处理器。驱动的HIP6601在同步整流更低的栅极大桥至12V，而高门可以独立推动在一个范围从5V至12V。驱动器的HIP6603以上为5V至12V范围内的上下门。这驱动电压的灵活性提供了优化的优势应用领域涉及开关损耗之间的权衡和传导损耗。在HIP
2013-3-3

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