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| 型号 | 功能描述 | 生产厂家 企业 | LOGO | 操作 |
|---|---|---|---|---|
1.25mm Pitch Super Low profile Crimping Connector 文件：299.72 Kbytes Page：8 Pages | HIROSEHirose Electric Company 广濑日本广濑电机株式会社 |   |
| IC供应商 | 芯片型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
25+ |
O-NEW |
199 |
百分百原装正品 真实公司现货库存 本公司只做原装 可 |
||||
HIROSE |
2508+ |
/ |
391805 |
一级代理，原装现货 |
|||
HRS |
2021+ |
1000 |
只做原装，可提供样品 |
||||
HRS/广濑 |
23+ |
SMD |
404705 |
原厂授权一级代理,专业海外优势订货,价格优势、品种 |
|||
HRS |
1.25mm间距 25P LVDS 贴到底镀金 |
69968 |
一级代理百分百有货,原装正品现货,支持实单! |
||||
24+ |
N/A |
65000 |
一级代理-主营优势-实惠价格-不悔选择 |
||||
HRS/广濑 |
2450+ |
25P |
9850 |
只做原装正品假一赔十为客户做到零风险!! |
|||
HiroseElectricCoLtd |
24+ |
137 |
|||||
HIROSE/广濑 |
25+ |
连接器 |
13250 |
原装正品现货供应商原厂货源渠道订货 |
|||
HRS/广濑 |
24+ |
connector |
49823 |
只做原装进口现货连接器 |
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2021-9-17HK32F103C8T6
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2021-6-2HISILICON海思 HI3519ARFCV100
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2020-8-28HIP6603-同步整流降压MOSFET驱动器
同步整流MOSFET的降压驱动程序 HIP6601和HIP6603的高频率，双MOSFET驱动器专门设计用于驱动两个功率N沟道MOSFET在同步整流降压转换器。与HIP630x结合这些驱动程序多相降压PWM控制器和Intersil UltraFETs™形成一个完整的核心电压调节器解决方案先进的微处理器。驱动的HIP6601在同步整流更低的栅极大桥至12V，而高门可以独立推动在一个范围从5V至12V。驱动器的HIP6603以上为5V至12V范围内的上下门。这驱动电压的灵活性提供了优化的优势应用领域涉及开关损耗之间的权衡 和传导损耗。在HIP6601和HI
2013-3-3HIP6602-双通道同步整流降压MOSFET驱动器
双通道同步整流降压MOSFET驱动器 该HIP6602是一个高频率，两间电力通道MOSFET驱动器专门设计用于驱动四个电源N沟道MOSFET在同步整流降压转换器。与HIP63xx结合这些驱动程序系列多相降压PWM控制器和Intersil的UltraFETs®形成一个完整的核心电压稳压器解决方案先进的微处理器。在驱动器的HIP6602上下都是一个盖茨范围为5V至12V。这个驱动电压提供了灵活性优化应用程序中受益，涉及权衡之间的开关损耗和传导损耗。在HIP6602输出驱动器有能力在高效率开关频率功率MOSFET。每个司机是驾驶一辆带有30ns一个3000pF负载的能力传播
2013-3-3HIP6601-同步整流降压MOSFET驱动器
同步整流MOSFET的降压驱动程序 HIP6601和HIP6603的高频率，双MOSFET驱动器专门设计用于驱动两个功率 N沟道MOSFET在同步整流降压转换器。与HIP630x结合这些驱动程序多相降压PWM控制器和Intersil UltraFETs™形成一个完整的核心电压调节器解决方案 先进的微处理器。驱动的HIP6601在同步整流更低的栅极大桥至12V，而高门可以独立推动在一个范围从5V至12V。驱动器的HIP6603以上为5V至12V范围内的上下门。这驱动电压的灵活性提供了优化的优势应用领域涉及开关损耗之间的权衡和传导损耗。在HIP
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