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| 型号 | 功能描述 | 生产厂家&企业 | LOGO | 操作 |
|---|---|---|---|---|
CardEdgeConnectors0.156”(3.96mm)Pitch Features: •0.156”(3.96mm)contactspacingx0.140”(3.56mm)rowspacing •Accepts0.062”(1.57mm)nominalthicknessP.C.board •Lowprofileinsulatorbody,0.470”(11.94mm) •ContactterminationoptionsincludeP.C.tail,wirehole,extenderboardbends •Dualrowconfiguration •Largeva | EDACEDAC, All Rights Reserved. 亚得电子亚得电子（东莞）有限公司 |  |   | |
305SeriesCanTumblers 文件：648.14 Kbytes Page：3 Pages | MORSEMorse Mfg. Co., Inc. 莫尔斯莫尔斯制造公司 |  | | |
SINGLECHANNELCOAXIAL,N&TNCCONNECTORS 文件：380.82 Kbytes Page：2 Pages | FILTRONIC Filtronic Compound Semiconductors |  | | |
PICO305SeriesFuses-277VUL913IntrinsicallySafeFuse 文件：728.76 Kbytes Page：2 Pages | Littelfuselittelfuse 力特力特公司 |  | | |
NoiseFilters 文件：3.47095 Mbytes Page：51 Pages | NECRenesas Electronics America 瑞萨日本瑞萨电子株式会社 |  | |
| IC供应商 | 芯片型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
05+ |
原厂原装 |
251 |
只做全新原装真实现货供应 |
||||
M/A-COM |
24+ |
SMD |
5500 |
M/A-COM专营品牌绝对进口原装假一赔十 |
|||
ON(安森美) |
2021/2022+ |
标准封装 |
8000 |
原厂原装现货订货价格优势终端BOM表可配单提供样品 |
|||
24+ |
SOP28W |
3629 |
原装优势!房间现货!欢迎来电! |
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BOSCH/博世 |
18+ |
QFP |
30207 |
全新原装现货,可出样品,可开增值税发票 |
|||
BOSCH |
23+ |
SOP8 |
1005 |
原装现货假一赔十 |
|||
BOSCH |
2022 |
SOP |
87 |
全新原装现货热卖 |
|||
BOURNS |
24+/25+ |
100 |
原装正品现货库存价优 |
||||
FRONTIER |
23+ |
NA |
19960 |
只做进口原装,终端工厂免费送样 |
|||
ON |
23+ |
TO252 |
29 |
正规渠道,只有原装! |
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2021-9-17HK32F103C8T6
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2021-6-2HISILICON海思 HI3519ARFCV100
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2020-8-28HIP6603-同步整流降压MOSFET驱动器
同步整流MOSFET的降压驱动程序HIP6601和HIP6603的高频率，双MOSFET驱动器专门设计用于驱动两个功率N沟道MOSFET在同步整流降压转换器。与HIP630x结合这些驱动程序多相降压PWM控制器和IntersilUltraFETs™形成一个完整的核心电压调节器解决方案先进的微处理器。驱动的HIP6601在同步整流更低的栅极大桥至12V，而高门可以独立推动在一个范围从5V至12V。驱动器的HIP6603以上为5V至12V范围内的上下门。这驱动电压的灵活性提供了优化的优势应用领域涉及开关损耗之间的权衡和传导损耗。在HIP6601和HI
2013-3-3HIP6602-双通道同步整流降压MOSFET驱动器
双通道同步整流降压MOSFET驱动器该HIP6602是一个高频率，两间电力通道MOSFET驱动器专门设计用于驱动四个电源N沟道MOSFET在同步整流降压转换器。与HIP63xx结合这些驱动程序系列多相降压PWM控制器和Intersil的UltraFETs®形成一个完整的核心电压稳压器解决方案先进的微处理器。在驱动器的HIP6602上下都是一个盖茨范围为5V至12V。这个驱动电压提供了灵活性优化应用程序中受益，涉及权衡之间的开关损耗和传导损耗。在HIP6602输出驱动器有能力在高效率开关频率功率MOSFET。每个司机是驾驶一辆带有30ns一个3000pF负载的能力传播
2013-3-3HIP6601-同步整流降压MOSFET驱动器
同步整流MOSFET的降压驱动程序HIP6601和HIP6603的高频率，双MOSFET驱动器专门设计用于驱动两个功率N沟道MOSFET在同步整流降压转换器。与HIP630x结合这些驱动程序多相降压PWM控制器和IntersilUltraFETs™形成一个完整的核心电压调节器解决方案先进的微处理器。驱动的HIP6601在同步整流更低的栅极大桥至12V，而高门可以独立推动在一个范围从5V至12V。驱动器的HIP6603以上为5V至12V范围内的上下门。这驱动电压的灵活性提供了优化的优势应用领域涉及开关损耗之间的权衡和传导损耗。在HIP
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