| 型号 | 功能描述 | 生产厂家 企业 | LOGO | 操作 |
|---|---|---|---|---|
HIGH PERFORMANCE VOLTAGE COMPARATORS The ability to operate from a single power supply of 5.0 V to 30 V or ±15 V split supplies, as commonly used with operational amplifiers, makes the LM211/LM311 a truly versatile comparator. Moreover, the inputs of the device can be isolated from system ground while the output can drive loads refer | ONSEMI 安森美半导体 |   | ||
Silicon Complementary Transistors General Purpose Output & Driver Description: The NTE210 (NPN) and NTE211 (PNP) are silicon complementary transistors in a TO202 type package designed for general purpose, medium voltage, medium power amplifier and driver applications such as series, shunt and switching regulators, and low and high frequency inverters and conv | NTE | | ||
Voltage Comparator 文件：1.08989 Mbytes Page：23 Pages | NSC 国半 | | ||
Voltage Comparator 文件：1.08989 Mbytes Page：23 Pages | NSC 国半 | | ||
C-MOS QUAD SPST ANALOG SWITCH 文件：156.78 Kbytes Page：4 Pages | NJRC 日本无线 | |
| IC供应商 | 芯片型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
TI/德州仪器 |
23+ |
SOP |
83000 |
只做原装真实库存13714450367 |
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TI/德州仪器 |
25+ |
SOIC-8_150mil |
4987 |
强势库存!绝对原装公司现货! |
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ST |
24+ |
SOP |
23000 |
假一罚万ST一级代理分销原装现货特价 |
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ST(意法) |
25+ |
N/A |
12421 |
原装正品现货,原厂订货,可支持含税原型号开票。 |
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TI/德州仪器 |
25+ |
SOP |
32000 |
TI/德州仪器全新特价LM211DR即刻询购立享优惠#长期有货 |
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ON(安森美) |
23+ |
SOIC-8_150mil |
10741 |
公司只做原装正品,假一赔十 |
|||
TI/德州仪器 |
25+ |
原厂封装 |
10280 |
原厂授权一级代理,专注军工、汽车、医疗、工业、新能源、电力! |
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ST/意法半导体 |
25+ |
SOP-8 |
15446 |
全新原装正品支持含税 |
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STM |
14+ |
5000 |
SO-8 |
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TI/德州仪器 |
2216+ |
SOIC8 |
8000 |
原装正品现货假一罚十 |
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2021-9-17HK32F103C8T6
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2021-6-2HISILICON海思 HI3519ARFCV100
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2020-8-28HIP6603-同步整流降压MOSFET驱动器
同步整流MOSFET的降压驱动程序 HIP6601和HIP6603的高频率，双MOSFET驱动器专门设计用于驱动两个功率N沟道MOSFET在同步整流降压转换器。与HIP630x结合这些驱动程序多相降压PWM控制器和Intersil UltraFETs™形成一个完整的核心电压调节器解决方案先进的微处理器。驱动的HIP6601在同步整流更低的栅极大桥至12V，而高门可以独立推动在一个范围从5V至12V。驱动器的HIP6603以上为5V至12V范围内的上下门。这驱动电压的灵活性提供了优化的优势应用领域涉及开关损耗之间的权衡 和传导损耗。在HIP6601和HI
2013-3-3HIP6602-双通道同步整流降压MOSFET驱动器
双通道同步整流降压MOSFET驱动器 该HIP6602是一个高频率，两间电力通道MOSFET驱动器专门设计用于驱动四个电源N沟道MOSFET在同步整流降压转换器。与HIP63xx结合这些驱动程序系列多相降压PWM控制器和Intersil的UltraFETs®形成一个完整的核心电压稳压器解决方案先进的微处理器。在驱动器的HIP6602上下都是一个盖茨范围为5V至12V。这个驱动电压提供了灵活性优化应用程序中受益，涉及权衡之间的开关损耗和传导损耗。在HIP6602输出驱动器有能力在高效率开关频率功率MOSFET。每个司机是驾驶一辆带有30ns一个3000pF负载的能力传播
2013-3-3HIP6601-同步整流降压MOSFET驱动器
同步整流MOSFET的降压驱动程序 HIP6601和HIP6603的高频率，双MOSFET驱动器专门设计用于驱动两个功率 N沟道MOSFET在同步整流降压转换器。与HIP630x结合这些驱动程序多相降压PWM控制器和Intersil UltraFETs™形成一个完整的核心电压调节器解决方案 先进的微处理器。驱动的HIP6601在同步整流更低的栅极大桥至12V，而高门可以独立推动在一个范围从5V至12V。驱动器的HIP6603以上为5V至12V范围内的上下门。这驱动电压的灵活性提供了优化的优势应用领域涉及开关损耗之间的权衡和传导损耗。在HIP
2013-3-3
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