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| 型号 | 功能描述 | 生产厂家 企业 | LOGO | 操作 |
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6A, 30V, 0.032 Ohm, Dual N-Channel, Logic Level UltraFET Power MOSFET This N-Channel power MOSFET is manufactured using the innovative UltraFET process. This advanced process technology achieves the lowest possible on-resistance per silicon area, resulting in outstanding performance. This device is capable of withstanding high energy in the avalanche mode and the di | Fairchild 仙童半导体 |   | ||
6A, 30V, 0.032 Ohm, Dual N-Channel, Logic Level UltraFET Power MOSFET This N-Channel power MOSFET is manufactured using the innovative UltraFET process. This advanced process technology achieves the lowest possible on-resistance per silicon area, resulting in outstanding performance. This device is capable of withstanding high energy in the avalanche mode and the di | Intersil | |
| IC供应商 | 芯片型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
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INFINEON/英飞凌 |
24+ |
NA/ |
100 |
优势代理渠道,原装正品,可全系列订货开增值税票 |
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FAIRCHILD |
24+ |
SOP8 |
20000 |
全新原厂原装，进口正品现货，正规渠道可含税！！ |
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INTERSIL |
25+ |
sop |
3200 |
全新原装、诚信经营、公司现货销售 |
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INFINEON/英飞凌 |
25+ |
SOP-8 |
35457 |
INFINEON/英飞凌全新特价HUF76113DK8即刻询购立享优惠#长期有货 |
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FAIRCILD |
22+ |
SOIC8 |
8000 |
原装正品支持实单 |
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FAIRCHIL |
24+ |
SOP8 |
1867 |
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INTERSIL |
2450+ |
SOP |
6540 |
只做原厂原装正品现货或订货!终端工厂可以申请样品! |
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FAIRCHILD |
25+ |
DIP-40 |
18000 |
原厂直接发货进口原装 |
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onsemi(安森美) |
24+ |
US-8 |
9555 |
支持大陆交货,美金交易。原装现货库存。 |
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FSC |
01+ |
SOP8 |
4394 |
一级代理,专注军工、汽车、医疗、工业、新能源、电力 |
HIP76113DK8规格书下载地址
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2021-6-2HISILICON海思 HI3519ARFCV100
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2020-8-28HIP6603-同步整流降压MOSFET驱动器
同步整流MOSFET的降压驱动程序 HIP6601和HIP6603的高频率，双MOSFET驱动器专门设计用于驱动两个功率N沟道MOSFET在同步整流降压转换器。与HIP630x结合这些驱动程序多相降压PWM控制器和Intersil UltraFETs™形成一个完整的核心电压调节器解决方案先进的微处理器。驱动的HIP6601在同步整流更低的栅极大桥至12V，而高门可以独立推动在一个范围从5V至12V。驱动器的HIP6603以上为5V至12V范围内的上下门。这驱动电压的灵活性提供了优化的优势应用领域涉及开关损耗之间的权衡 和传导损耗。在HIP6601和HI
2013-3-3HIP6602-双通道同步整流降压MOSFET驱动器
双通道同步整流降压MOSFET驱动器 该HIP6602是一个高频率，两间电力通道MOSFET驱动器专门设计用于驱动四个电源N沟道MOSFET在同步整流降压转换器。与HIP63xx结合这些驱动程序系列多相降压PWM控制器和Intersil的UltraFETs®形成一个完整的核心电压稳压器解决方案先进的微处理器。在驱动器的HIP6602上下都是一个盖茨范围为5V至12V。这个驱动电压提供了灵活性优化应用程序中受益，涉及权衡之间的开关损耗和传导损耗。在HIP6602输出驱动器有能力在高效率开关频率功率MOSFET。每个司机是驾驶一辆带有30ns一个3000pF负载的能力传播
2013-3-3HIP6601-同步整流降压MOSFET驱动器
同步整流MOSFET的降压驱动程序 HIP6601和HIP6603的高频率，双MOSFET驱动器专门设计用于驱动两个功率 N沟道MOSFET在同步整流降压转换器。与HIP630x结合这些驱动程序多相降压PWM控制器和Intersil UltraFETs™形成一个完整的核心电压调节器解决方案 先进的微处理器。驱动的HIP6601在同步整流更低的栅极大桥至12V，而高门可以独立推动在一个范围从5V至12V。驱动器的HIP6603以上为5V至12V范围内的上下门。这驱动电压的灵活性提供了优化的优势应用领域涉及开关损耗之间的权衡和传导损耗。在HIP
2013-3-3
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