型号 功能描述 生产厂家 企业 LOGO 操作

Common Mode EMI Inductors

[J.W.Miller] Special Features •Reduce conductive EMI emission •High current capacity •High impedance at low frequency •Dielectric strength 3750VRMS •Coil wound on VW-1 rated plastic cased ferrite core •Operating temperature -55 to +105°C

ETCList of Unclassifed Manufacturers

未分类制造商

Common Mode EMI Chokes

Special Features • Dual winding • Low radiation • High current capacity • High inductance • Dielectric strength 1000Vrms • Mounted on VW-1 rated header • Fixed pins for easy PCB insertion • Operating temperature -55 to +105°C

Bourns

伯恩斯

Common Mode EMI Chokes

Special Features • Reduce conductive EMI emission • High current capacity • High impedance at low frequency • Dielectric strength 3750 Vrms • Coil wound on UL 94V-0 rated plastic cased ferrite core • Operating temperature -55 to +105 °C

Bourns

伯恩斯

Common Mode EMI Chokes

Special Features • Reduce conductive EMI emission • High current capacity • High impedance at low frequency • Dielectric strength 3750 Vrms • Coil wound on UL 94V-0 rated plastic cased ferrite core • Operating temperature -55 to +105 °C

Bourns

伯恩斯

3M??Tamper-Evident Label Materials

文件:553.53 Kbytes Page:4 Pages

3M

更新时间:2026-1-3 17:48:01
IC供应商 芯片型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
BOURNS
24+
插件
7350
现货供应,当天可交货!免费送样,原厂技术支持!!!
HNA
24+
453
Mill-Max Manufacturing Corp.
23+
原厂封装
15
只做原装只有原装现货实报
RedingtonCounters-Inc.
11
全新原装 货期两周
N/A
17+
MSOP8
6200
100%原装正品现货
HARTING
22+
POS6
20000
公司只有原装 品质保证
BOURNS/伯恩斯
2447
SMD
100500
一级代理专营品牌!原装正品,优势现货,长期排单到货
BOURNS/伯恩斯
2223+
SMD
26800
只做原装正品假一赔十为客户做到零风险
BOURNS
25+
滤波器
997
就找我吧!--邀您体验愉快问购元件!
HARTING/浩亭
24+
POS6
60000

HIP7110IBZ数据表相关新闻

  • Hirose、TE.JST、JAE、AMP等品牌原装进口连接器材!

    Hirose、JST、JAE、AMP、等品牌原装进口连接器材!

    2021-9-17
  • HK32F103C8T6

    HK32F103C8T6

    2021-6-2
  • HISILICON海思 HI3519ARFCV100

    HISILICON海思 HI3519ARFCV100

    2020-8-28
  • HIP6603-同步整流降压MOSFET驱动器

    同步整流MOSFET的降压驱动程序 HIP6601和HIP6603的高频率,双MOSFET驱动器专门设计用于驱动两个功率N沟道MOSFET在同步整流降压转换器。与HIP630x结合这些驱动程序多相降压PWM控制器和Intersil UltraFETs™形成一个完整的核心电压调节器解决方案先进的微处理器。驱动的HIP6601在同步整流更低的栅极大桥至12V,而高门可以独立推动在一个范围从5V至12V。驱动器的HIP6603以上为5V至12V范围内的上下门。这驱动电压的灵活性提供了优化的优势应用领域涉及开关损耗之间的权衡 和传导损耗。在HIP6601和HI

    2013-3-3
  • HIP6602-双通道同步整流降压MOSFET驱动器

    双通道同步整流降压MOSFET驱动器 该HIP6602是一个高频率,两间电力通道MOSFET驱动器专门设计用于驱动四个电源N沟道MOSFET在同步整流降压转换器。与HIP63xx结合这些驱动程序系列多相降压PWM控制器和Intersil的UltraFETs®形成一个完整的核心电压稳压器解决方案先进的微处理器。在驱动器的HIP6602上下都是一个盖茨范围为5V至12V。这个驱动电压提供了灵活性优化应用程序中受益,涉及权衡之间的开关损耗和传导损耗。在HIP6602输出驱动器有能力在高效率开关频率功率MOSFET。每个司机是驾驶一辆带有30ns一个3000pF负载的能力传播

    2013-3-3
  • HIP6601-同步整流降压MOSFET驱动器

    同步整流MOSFET的降压驱动程序 HIP6601和HIP6603的高频率,双MOSFET驱动器专门设计用于驱动两个功率 N沟道MOSFET在同步整流降压转换器。与HIP630x结合这些驱动程序多相降压PWM控制器和Intersil UltraFETs™形成一个完整的核心电压调节器解决方案 先进的微处理器。驱动的HIP6601在同步整流更低的栅极大桥至12V,而高门可以独立推动在一个范围从5V至12V。驱动器的HIP6603以上为5V至12V范围内的上下门。这驱动电压的灵活性提供了优化的优势应用领域涉及开关损耗之间的权衡和传导损耗。在HIP

    2013-3-3