位置:首页 > IC中文资料 > HIP680

型号 功能描述 生产厂家 企业 LOGO 操作

Plastic Medium-Power Silicon PNP Darlingtons

Plastic Medium−Power Silicon PNP Darlingtons . . . for use as output devices in complementary general–purpose amplifier applications. • High DC Current Gain — hFE = 750 (Min) @ IC = 1.5 and 2.0 Adc • Monolithic Construction • BD676, 676A, 678, 678A, 680, 680A, 682 are complementary with BD

MOTOROLA

摩托罗拉

Plastic Medium-Power Silicon PNP Darlingtons

Plastic Medium−Power Silicon PNP Darlingtons . . . for use as output devices in complementary general–purpose amplifier applications. • High DC Current Gain — hFE = 750 (Min) @ IC = 1.5 and 2.0 Adc • Monolithic Construction • BD676, 676A, 678, 678A, 680, 680A, 682 are complementary with BD

MOTOROLA

摩托罗拉

COMPLEMENTARY SILICON POWER DARLINGTON TRANSISTORS

Description The devices are manufactured in planar base island technology with monolithic Darlington configuration. Features ■ Good hFE linearity ■ High fT frequency ■ Monolithic Darlington configuration with integrated antiparallel collector-emitter diode Applications ■ Line

STMICROELECTRONICS

意法半导体

DPAK SURFACE MOUNT SCHOTTKY BARRIER RECTIFIER(VOLTAGE - 20 to 100 Volts CURRENT - 6.0 Amperes)

VOLTAGE - 20 to 100 Volts CURRENT - 6.0 Amperes FEATURES • Plastic package has Underwriters Laboratory Flammability Classification 94V-O • For surface mounted applications • Low profile package • Built-in strain relief • Metal to silicon rectifier majority carrier conduction • Low power los

PANJIT

強茂

SCHOTTKY BARRIER RECTIFIER(VOLTAGE - 20 to 100 Volts CURRENT - 6.0 Amperes)

VOLTAGE 20 to 100 Volts CURRENT 6.0 Amperes FEATURES • Plastic package has Underwriters Laboratory Flammability Classification 94V-O • For surface mounted applications • Low profile package • Built-in strain relief • Low power loss, High efficiency • High surge capacity •

PANJIT

強茂

更新时间:2026-3-18 20:23:01
IC供应商 芯片型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
ON/安森美
25+
TO-126
45000
ON/ST/FSC全新现货BD680A即刻询购立享优惠#长期有排单订
FAIRCHILD/仙童
2026+
NA
311
原装正品,假一罚十!
ONSEMI
25+
N/A
18798
正规渠道,免费送样。支持账期,BOM一站式配齐
FAIRCHILD
00+
TO-126F
1021
一级代理,专注军工、汽车、医疗、工业、新能源、电力
ST(意法)
23+
NA
20094
正纳10年以上分销经验原装进口正品做服务做口碑有支持
ONSemiconductor
24+
NA
3000
进口原装正品优势供应
FSC/ON
23+
原包装原封 □□
530
原装进口特价供应 特价,原装元器件供应,支持开发样品 更多详细咨询 库存
ST/意法
22+
N
30000
十七年VIP会员,诚信经营,一手货源,原装正品可零售!
ON/安森美
23+
NA
3821
原厂授权代理,海外优势订货渠道。可提供大量库存,详
ST
18+
TO-126
85600
保证进口原装可开17%增值税发票

HIP680数据表相关新闻

  • Hirose、TE.JST、JAE、AMP等品牌原装进口连接器材!

    Hirose、JST、JAE、AMP、等品牌原装进口连接器材!

    2021-9-17
  • HK32F103C8T6

    HK32F103C8T6

    2021-6-2
  • HISILICON海思 HI3519ARFCV100

    HISILICON海思 HI3519ARFCV100

    2020-8-28
  • HIP6603-同步整流降压MOSFET驱动器

    同步整流MOSFET的降压驱动程序 HIP6601和HIP6603的高频率,双MOSFET驱动器专门设计用于驱动两个功率N沟道MOSFET在同步整流降压转换器。与HIP630x结合这些驱动程序多相降压PWM控制器和Intersil UltraFETs™形成一个完整的核心电压调节器解决方案先进的微处理器。驱动的HIP6601在同步整流更低的栅极大桥至12V,而高门可以独立推动在一个范围从5V至12V。驱动器的HIP6603以上为5V至12V范围内的上下门。这驱动电压的灵活性提供了优化的优势应用领域涉及开关损耗之间的权衡 和传导损耗。在HIP6601和HI

    2013-3-3
  • HIP6602-双通道同步整流降压MOSFET驱动器

    双通道同步整流降压MOSFET驱动器 该HIP6602是一个高频率,两间电力通道MOSFET驱动器专门设计用于驱动四个电源N沟道MOSFET在同步整流降压转换器。与HIP63xx结合这些驱动程序系列多相降压PWM控制器和Intersil的UltraFETs®形成一个完整的核心电压稳压器解决方案先进的微处理器。在驱动器的HIP6602上下都是一个盖茨范围为5V至12V。这个驱动电压提供了灵活性优化应用程序中受益,涉及权衡之间的开关损耗和传导损耗。在HIP6602输出驱动器有能力在高效率开关频率功率MOSFET。每个司机是驾驶一辆带有30ns一个3000pF负载的能力传播

    2013-3-3
  • HIP6601-同步整流降压MOSFET驱动器

    同步整流MOSFET的降压驱动程序 HIP6601和HIP6603的高频率,双MOSFET驱动器专门设计用于驱动两个功率 N沟道MOSFET在同步整流降压转换器。与HIP630x结合这些驱动程序多相降压PWM控制器和Intersil UltraFETs™形成一个完整的核心电压调节器解决方案 先进的微处理器。驱动的HIP6601在同步整流更低的栅极大桥至12V,而高门可以独立推动在一个范围从5V至12V。驱动器的HIP6603以上为5V至12V范围内的上下门。这驱动电压的灵活性提供了优化的优势应用领域涉及开关损耗之间的权衡和传导损耗。在HIP

    2013-3-3