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更新时间：2024-6-6 3:18:01

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千层芯半导体(深圳)有限公司	HIP6602ACB	ISL	2018+	SOP-14	25000	一级专营品牌全新原装热卖	询价

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Hirose、TE.JST、JAE、AMP等品牌原装进口连接器材！
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2021-9-17
HIP6603-同步整流降压MOSFET驱动器
同步整流MOSFET的降压驱动程序HIP6601和HIP6603的高频率，双MOSFET驱动器专门设计用于驱动两个功率N沟道MOSFET在同步整流降压转换器。与HIP630x结合这些驱动程序多相降压PWM控制器和IntersilUltraFETs™形成一个完整的核心电压调节器解决方案先进的微处理器。驱动的HIP6601在同步整流更低的栅极大桥至12V，而高门可以独立推动在一个范围从5V至12V。驱动器的HIP6603以上为5V至12V范围内的上下门。这驱动电压的灵活性提供了优化的优势应用领域涉及开关损耗之间的权衡和传导损耗。在HIP6601和HI
2013-3-3
HIP6602-双通道同步整流降压MOSFET驱动器
双通道同步整流降压MOSFET驱动器该HIP6602是一个高频率，两间电力通道MOSFET驱动器专门设计用于驱动四个电源N沟道MOSFET在同步整流降压转换器。与HIP63xx结合这些驱动程序系列多相降压PWM控制器和Intersil的UltraFETs®形成一个完整的核心电压稳压器解决方案先进的微处理器。在驱动器的HIP6602上下都是一个盖茨范围为5V至12V。这个驱动电压提供了灵活性优化应用程序中受益，涉及权衡之间的开关损耗和传导损耗。在HIP6602输出驱动器有能力在高效率开关频率功率MOSFET。每个司机是驾驶一辆带有30ns一个3000pF负载的能力传播
2013-3-3
HIP6601-同步整流降压MOSFET驱动器
同步整流MOSFET的降压驱动程序HIP6601和HIP6603的高频率，双MOSFET驱动器专门设计用于驱动两个功率N沟道MOSFET在同步整流降压转换器。与HIP630x结合这些驱动程序多相降压PWM控制器和IntersilUltraFETs™形成一个完整的核心电压调节器解决方案先进的微处理器。驱动的HIP6601在同步整流更低的栅极大桥至12V，而高门可以独立推动在一个范围从5V至12V。驱动器的HIP6603以上为5V至12V范围内的上下门。这驱动电压的灵活性提供了优化的优势应用领域涉及开关损耗之间的权衡和传导损耗。在HIP
2013-3-3
HIP6521-PWM和三线性电源控制器
PWM和三线性电源控制器该HIP6521提供了电源控制和保护四在高性能微处理器的输出电压与计算机应用。该IC集成了voltagemodePWM控制器和三线性控制器，以及到一个16引脚SOIC监测和保护功能包。PWM控制器是为了规范内存与微处理器核心电压synchronousrectified降压转换器。拟线性控制器规范计算机系统的AGP总线1.5V的电源，时钟2.5V的电源，并为北/南1.8V电源大桥的核心电压和/或高速缓存存储器电路。无论是开关稳压器与线性电压基准提供±2行以上，负载静态调节％，温度范围。所有输出是用户可调的手段外部电阻分压器。所有的线性控制器采用
2013-2-20
HIP6500-多与ACPI控制接口线性电源控制器
无论an补充的HIP6500HIP6020或HIP6021在微处理器和计算机符合ACPI的设计应用。该IC集成了两个线性控制器和两个成稳压器，开关，监测和控制功能20引脚SOIC封装。一个线性控制器产生从ATX电源的5VSB输出电压3.3VDUAL飞机，供电通过一个外部晶体管的PCI插槽在睡眠状态（S3，S4/S5）。第二个晶体管，是用来开关在S0和ATX3.3V输出操作S1/S2（活动）的运行状态。第二个线性控制器提供计算机系统的2.5V/3.3V记忆力通过在活动状态的外部旁路晶体管。在S3状态，通过一个集成的晶体管用品2.5V/3.3V睡眠的力量。一起来5VD
2013-1-28

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