| 型号 | 功能描述 | 生产厂家 企业 | LOGO | 操作 |
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Power MOS 7TM is a new generation of low loss, high voltage, N-Channel enhancement mode power MOSFETS. Power MOS 7® is a new generation of low loss, high voltage, N-Channel enhancement mode power MOSFETS. Both conduction and switching losses are addressed with Power MOS 7® by significantly lowering RDS(ON) and Qg. Power MOS 7® combines lower conduction and switching losses along with exceptionally | ADPOW |   | ||
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Power MOS 7TM is a new generation of low loss, high voltage, N-Channel enhancement mode power MOSFETS POWER MOS 7® MOSFET Power MOS 7® is a new generation of low loss, high voltage, N-Channel enhancement mode power MOSFETS. Both conduction and switching losses are addressed with Power MOS 7® by significantly lowering RDS(ON) and Qg. Power MOS 7® combines lower conduction and switching losses alon | ADPOW | | ||
Power MOS 7TM is a new generation of low loss, high voltage, N-Channel enhancement mode power MOSFETS POWER MOS 7® MOSFET Power MOS 7® is a new generation of low loss, high voltage, N-Channel enhancement mode power MOSFETS. Both conduction and switching losses are addressed with Power MOS 7® by significantly lowering RDS(ON) and Qg. Power MOS 7® combines lower conduction and switching losses alon | ADPOW | | ||
Zener Diode, 1/2 Watt 짹5 Tolerance Features: ● Zener Voltage 2.4 to 200V ● DO35 Package | NTE | |
| IC供应商 | 芯片型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
Microchip Technology / Atmel |
25+ |
TO-247-3 |
6895 |
正规渠道,免费送样。支持账期,BOM一站式配齐 |
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Microchip Technology / Atmel |
25+ |
TO-247-3 |
6843 |
样件支持,可原厂排单订货! |
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APT |
2016+ |
TO247 |
3000 |
只做原装,假一罚十,公司可开17%增值税发票! |
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APT |
07+ |
TO-247 |
17 |
一级代理,专注军工、汽车、医疗、工业、新能源、电力 |
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APT |
24+/25+ |
12 |
原装正品现货库存价优 |
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APT |
23+ |
TO-3P |
3000 |
专做原装正品,假一罚百! |
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APT |
25+ |
5 |
公司优势库存 热卖中!! |
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MICROSEMI |
2025+ |
TO-247 |
3685 |
全新原厂原装产品、公司现货销售 |
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MICROSEMI/美高森美 |
25+ |
TO-247 |
20000 |
原装 |
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MICROSEMI/美高森美 |
21+ |
TO-247 |
120000 |
长期代理优势供应 |
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2020-10-30HIP5010-为7V，17A条SynchroFET⑩互补驱动同步半桥
为7V，17A条SynchroFET™互补永磁同步半桥 设计采用P6和奔腾®记住，Intersil的SynchroFET™系列提供了一种新途径实施同步整流降压开关稳压器。该SynchroFET取代两间电力DMOSs，肖特基二极管，两个栅极驱动器和同步控制电路。该互补驱动电路的开启和场效应管上较低的FET关断时，由PWM输入为高。当由PWM输入变为低上部场效应管熄灭，较低的FET导通。该HIP5011有一个PWM引脚，反转从到相输入的关系。这种架构允许设计人员利用一个低成本的单端PWM在任何一个控制器电流或电压模式配置。该SynchroFET工作
2013-3-3HIP6016-先进的双PWM和线性功率控制
描述 先进的双PWM和线性电源控制该HIP6016提供了电源控制和保护三在高性能微处理器的输出电压与计算机应用。该IC集成了PWM控制器，线性稳压器和线性控制器以及成一个单一的监测和保护功能包。 PWM控制器调节微处理器核心电压与同步降压reThanctified转换器。线性控制器调节功率的天然气制油总线和线性稳压器提供电源的时钟驱动电路。该HIP6016包括Intel兼容的TTL 5输入数字至模拟转换器（DAC），调整PWM的核心输出电压2.1VDC至3.5VDC以0.1V递增从1.3VDC至2.05VDC在0.05V为步骤。精密度参考和电压模式控制提供了± 1％的静态监管
2013-2-20HIP6005CB-降压型脉宽调制器（PWM）控制器和输出电压监视器
HIP6005提供了一个完整的控制和保护DC - DC转换器高性能优化微处理器应用。它是设计来驱动N沟道MOSFET在一个标准的降压拓扑结构。 HIP6005集成了所有的控制，输出调节，监测和保护功能，在单一封装中。转换器的输出电压是很容易的调整和精确调节。 HIP6005包括一个5输入digitalto数模转换器（DAC），可调节输出电压从2.1VDC至3.5VDC在0.1V递增，从1.3VDC2.1VDC在0.05V步骤。精密基准和电压模式调节保持所选的输出电压在温度和线电压变化范围内± 1％。HIP6005提供简单的单反馈环路，voltagemode控制与快速的瞬态响应。它包括一个200
2012-12-2HIP6002-整流器（PWM）控制器和输出电压监视器
HIP6002提供了一个完整的控制和保护DC- DC转换器高性能优化微处理器应用。它的设计，以驱动两个在同步整流降压N沟道MOSFET拓扑结构。 HIP6002集成所有的控制，输出成一个单一的调整，监测和保护功能包。转换器的输出电压是很容易的调整和精确调节。 HIP6002包括一个4输入数字 - 模拟转换器（DAC），可调节输出电压2.0VDC至3.5VDC在0.1V递增。 “精密基准电压模式调节举行选择输出电压随温度的± 1％，内线路电压变化。HIP6002提供简单的单反馈环路，voltagemode控制与快速的瞬态响应。它包括一个200kHz的自由运行的三角波振荡器，低于50kHz可调超过
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