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HGTD7N60C3S9A

封装/外壳:TO-252-3,DPak(2 引线 + 接片),SC-63 包装:管件 描述:IGBT 600V 14A TO252AA 分立半导体产品 晶体管 - UGBT、MOSFET - 单

ONSEMION Semiconductor

安森美半导体安森美半导体公司

ONSEMI

HGTD7N60C3S9A产品属性

  • 类型

    描述

  • 型号

    HGTD7N60C3S9A

  • 功能描述

    IGBT 晶体管 14a 600V N-Ch IGBT UFS Series

  • RoHS

  • 制造商

    Fairchild Semiconductor

  • 配置

    集电极—发射极最大电压

  • VCEO

    650 V

  • 集电极—射极饱和电压

    2.3 V

  • 栅极/发射极最大电压

    20 V 在25

  • C的连续集电极电流

    150 A

  • 栅极—射极漏泄电流

    400 nA

  • 功率耗散

    187 W

  • 封装/箱体

    TO-247

  • 封装

    Tube

更新时间:2024-6-24 10:50:00
IC供应商 芯片型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
onsemi
21+
-
21000
专业分立半导体,原装渠道正品现货
FAIRCHILD
05+
原厂原装
6770
只做全新原装真实现货供应
Fairchild
23+
TO-252
9500
专业优势供应
23+
N/A
67000
一级代理放心采购
Fairchild
23+
33500
Fairchild/ON
22+
TO252AA
9000
原厂渠道,现货配单
ON
23+
TO-252
10065
原装正品,有挂有货,假一赔十
onsemi
23+
TO-252-3
19173
确保原装正品,一站式配单-认准水星电子。
ON/安森美
21+
SMD
30000
百域芯优势 实单必成 可开13点增值税
FAIRCHILD
21+
35200
一级代理/放心采购

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