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位置：首页 > IC中文资料第3540页 > HGTD3N60A4S

型号 功能描述 生产厂家&企业 LOGO 操作
HGTD3N60A4S

600V,SMPSSeriesN-ChannelIGBT

TheHGTD3N60A4SandtheHGTP3N60A4areMOSgatedhighvoltageswitchingdevicescombiningthebestfeaturesofMOSFETsandbipolartransistors.ThesedeviceshavethehighinputimpedanceofaMOSFETandthelowon-stateconductionlossofabipolartransistor.Themuchloweronstatevoltagedrop

FairchildFairchild Semiconductor

仙童半导体飞兆/仙童半导体公司

Fairchild
HGTD3N60A4S

600V,SMPSSeriesN-ChannelIGBT

TheHGTD3N60A4S,HGT1S3N60A4SandtheHGTP3N60A4areMOSgatedhighvoltageswitchingdevicescombiningthebestfeaturesofMOSFETsandbipolartransistors.ThesedeviceshavethehighinputimpedanceofaMOSFETandthelowon-stateconductionlossofabipolartransistor.Themuchloweron-stat

Intersil

Intersil Corporation

Intersil
HGTD3N60A4

600V,SMPSSeriesN-ChannelIGBT

TheHGTD3N60A4SandtheHGTP3N60A4areMOSgatedhighvoltageswitchingdevicescombiningthebestfeaturesofMOSFETsandbipolartransistors.ThesedeviceshavethehighinputimpedanceofaMOSFETandthelowon-stateconductionlossofabipolartransistor.Themuchloweronstatevoltagedrop

FairchildFairchild Semiconductor

仙童半导体飞兆/仙童半导体公司

Fairchild
3N60A4

600V,SMPSSeriesN-ChannelIGBT

TheHGTD3N60A4S,HGT1S3N60A4SandtheHGTP3N60A4areMOSgatedhighvoltageswitchingdevicescombiningthebestfeaturesofMOSFETsandbipolartransistors.ThesedeviceshavethehighinputimpedanceofaMOSFETandthelowon-stateconductionlossofabipolartransistor.Themuchloweron-stat

Intersil

Intersil Corporation

Intersil
3N60A4

600V,SMPSSeriesN-ChannelIGBT

TheHGTD3N60A4SandtheHGTP3N60A4areMOSgatedhighvoltageswitchingdevicescombiningthebestfeaturesofMOSFETsandbipolartransistors.ThesedeviceshavethehighinputimpedanceofaMOSFETandthelowon-stateconductionlossofabipolartransistor.Themuchloweronstatevoltagedrop

FairchildFairchild Semiconductor

仙童半导体飞兆/仙童半导体公司

Fairchild

HGTD3N60A4S产品属性

  • 类型

    描述

  • 型号

    HGTD3N60A4S

  • 功能描述

    IGBT 晶体管

  • RoHS

    否

  • 制造商

    Fairchild Semiconductor

  • 配置

    集电极—发射极最大电压

  • VCEO

    650 V

  • 集电极—射极饱和电压

    2.3 V

  • 栅极/发射极最大电压

    20 V 在25

  • C的连续集电极电流

    150 A

  • 栅极—射极漏泄电流

    400 nA

  • 功率耗散

    187 W

  • 封装/箱体

    TO-247

  • 封装

    Tube

HGTD3N60A4S供应商更多...

更新时间：2025-7-25 20:00:00
IC供应商 芯片型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
深圳市金芯世纪电子有限公司
HGTD3N60A4S
INTERSIL
22+
SOT-252
100000
代理渠道/只做原装/可含税
询价
深圳市永贝尔科技有限公司
HGTD3N60A4S
FAIRCHILD
23+
NA
19960
只做进口原装,终端工厂免费送样
询价
深圳市创新迹电子有限公司
HGTD3N60A4S
INTERSIL
23+
SOT-252
5000
专注配单,只做原装进口现货
询价
深圳市蓝山航业科技有限公司
HGTD3N60B3
har
24+
500000
行业低价,代理渠道
询价
深圳市华来深电子有限公司
HGTD3N60C3D
INFINEON
23+
TO-252
11846
一级代理商现货批发,原装正品,假一罚十
询价
贸泽芯城（深圳）电子科技有限公司
HGTD3N60B3S
HARRIS/哈里斯
23+
10000
原厂授权一级代理,专业海外优势订货,价格优势、品种
询价
深圳市正迈科技有限公司
HGTD3N60A4S
FSC/ON
23+
原包装原封 □□
2691
原装进口特价供应 特价，原装元器件供应，支持开发样品 更多详细咨询 库存
询价
深圳市星佑电子有限公司
HGTD3N60A4S
INTERSIL
05+
原厂原装
4763
只做全新原装真实现货供应
询价
深圳市宏捷佳电子科技有限公司
HGTD3N60A4S
INTERSIL
2023+
TO-252
50000
原装现货
询价
深圳市安富世纪电子有限公司
HGTD3N60A4S
INTERSIL
23+
SOT-252
5000
专注配单,只做原装进口现货
询价

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