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HGTD1N120BNS9A价格
参考价格：￥3.4127
型号：HGTD1N120BNS9A 品牌：Fairchild 备注：这里有HGTD1N120BNS9A多少钱，2025年最近7天走势，今日出价，今日竞价，HGTD1N120BNS9A批发/采购报价，HGTD1N120BNS9A行情走势销售排行榜，HGTD1N120BNS9A报价。| 型号 | 功能描述 | 生产厂家 企业 | LOGO | 操作 |
|---|---|---|---|---|
HGTD1N120BNS9A | 5.3A, 1200V, NPT Series N-Channel IGBT The HGTD1N120BNS and HGTP1N120BN are Non-Punch Through (NPT) IGBT designs. They are new members of the MOS gated high voltage switching IGBT family. IGBTs combine the best features of MOSFETs and bipolar transistors. This device has the high input impedance of a MOSFET and the low on-state conduct | FairchildFairchild Semiconductor 仙童半导体飞兆/仙童半导体公司 |   | |
HGTD1N120BNS9A | 封装/外壳：TO-252-3，DPak（2 引线 + 接片），SC-63 包装：管件 描述：IGBT 1200V 5.3A 60W TO252AA 分立半导体产品 晶体管 - UGBT、MOSFET - 单 | ONSEMI 安森美半导体 | |
HGTD1N120BNS9A产品属性
- 类型
描述
- 型号
HGTD1N120BNS9A
- 功能描述
IGBT 晶体管 5.3a 1200v N-Ch IGBT NPT Series
- RoHS
否
- 制造商
Fairchild Semiconductor
- 配置
集电极—发射极最大电压
- VCEO
650 V
- 集电极—射极饱和电压
2.3 V
- 栅极/发射极最大电压
20 V 在25
- C的连续集电极电流
150 A
- 栅极—射极漏泄电流
400 nA
- 功率耗散
187 W
- 封装/箱体
TO-247
- 封装
Tube
| IC供应商 | 芯片型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
Onsemi/安森美 |
24+ |
TO-252-3 |
8000 |
新到现货，只做全新原装正品 |
|||
FAIRCHILD/仙童 |
24+ |
TO252 |
880000 |
明嘉莱只做原装正品现货 |
|||
ON/安森美 |
25+ |
25000 |
原厂原包 深圳现货 主打品牌 假一赔百 可开票! |
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ON/安森美 |
24+ |
TO-252AA |
30000 |
原装正品公司现货,假一赔十! |
|||
ON/安森美 |
19+ |
TO-252 |
10000 |
||||
FAIRCHILD |
25+23+ |
TO252 |
14012 |
绝对原装正品全新进口深圳现货 |
|||
ON/安森美 |
21+ |
TO-252AA |
8080 |
只做原装,质量保证 |
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FSC |
25+ |
QFP |
3200 |
全新原装、诚信经营、公司现货销售 |
|||
FAIRCHILD/仙童 |
24+ |
TO252 |
8950 |
BOM配单专家,发货快,价格低 |
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ON/安森美 |
23+ |
TO-252 |
5000 |
只做原装只有原装深圳现货 |
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焕盛达竭诚为广大客户提供一站式配套服务，解决您的BOM表采购之痛，让您采购无忧！
2020-11-25HGDESM021A
https://hch01.114ic.com/
2020-11-13HHC67E-1H-12VDC
HHC67E-1H-12VDC ，全新原装当天发货或门市自取0755-82732291.
2020-4-20HG4119/048-1Z11，HG51B218FS，HG52E24AFD，HG62E08R74FB，HG62E43R76FS，
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2020-1-13
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