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HGT1S5N120BNDS

21A,1200V,NPTSeriesN-ChannelIGBTswithAnti-ParallelHyperfastDiodes

TheHGTG5N120BN,HGTP5N120BND,andHGT1S5N120BNDSareNon-PunchThrough(NPT)IGBTdesigns.TheyarenewmembersoftheMOSgatedhighvoltageswitchingIGBTfamily.IGBTscombinethebestfeaturesofMOSFETsandbipolartransistors.ThisdevicehasthehighinputimpedanceofaMOSFETandthelow

IntersilIntersil Corporation

瑞萨电子瑞萨电子株式会社

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HGT1S5N120BNS

21A,1200V,NPTSeriesN-ChannelIGBTs

TheHGTP5N120BNandtheHGT1S5N120BNSareNon-PunchThrough(NPT)IGBTdesigns.TheyarenewmembersoftheMOSgatedhighvoltageswitchingIGBTfamily.IGBTscombinethebestfeaturesofMOSFETsandbipolartransistors.ThisdevicehasthehighinputimpedanceofaMOSFETandthelowon-stateco

IntersilIntersil Corporation

瑞萨电子瑞萨电子株式会社

Intersil
HGT1S5N120CNDS

25A,1200V,NPTSeriesN-ChannelIGBTwithAnti-ParallelHyperfastDiode

TheHGTG5N120CND,HGTP5N120CNDandHGT1S5N120CNDSareNon-PunchThrough(NPT)IGBTdesigns.TheyarenewmembersoftheMOSgatedhighvoltageswitchingIGBTfamily.IGBTscombinethebestfeaturesofMOSFETsandbipolartransistors.ThisdevicehasthehighinputimpedanceofaMOSFETandthelow

IntersilIntersil Corporation

瑞萨电子瑞萨电子株式会社

Intersil
HGT1S5N120CNS

25A,1200V,NPTSeriesN-ChannelIGBT

TheHGTP5N120CNandHGT1S5N120CNSareNon-PunchThrough(NPT)IGBTdesigns.TheyarenewmembersoftheMOSgatedhighvoltageswitchingIGBTfamily.IGBTscombinethebestfeaturesofMOSFETsandbipolartransistors.ThisdevicehasthehighinputimpedanceofaMOSFETandthelowon-stateconduc

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HGT1S5N120BTI供应商更多...

更新时间：2024-6-24 22:30:01
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