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HGT1S12N60A4S9A

600V, SMPS Series N-Channel IGBTs

The HGTP12N60A4, HGTG12N60A4 and HGT1S12N60A4S9A are MOS gated high voltage switching devices combining the best features of MOSFETs and bipolar transistors. These devices have the high input impedance of a MOSFET and the low on-state conduction loss of a bipolar transistor. The much lower on-stat

FairchildFairchild Semiconductor

仙童半导体飞兆/仙童半导体公司

HGT1S12N60A4S9A

600V, SMPS Series N-Channel IGBTs

ONSEMI

安森美半导体

HGT1S12N60A4S9A产品属性

  • 类型

    描述

  • 型号

    HGT1S12N60A4S9A

  • 功能描述

    IGBT 晶体管 600V N-Channel IGBT SMPS Series

  • RoHS

  • 制造商

    Fairchild Semiconductor

  • 配置

    集电极—发射极最大电压

  • VCEO

    650 V

  • 集电极—射极饱和电压

    2.3 V

  • 栅极/发射极最大电压

    20 V 在25

  • C的连续集电极电流

    150 A

  • 栅极—射极漏泄电流

    400 nA

  • 功率耗散

    187 W

  • 封装/箱体

    TO-247

  • 封装

    Tube

更新时间:2025-10-2 22:59:00
IC供应商 芯片型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
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