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型号 功能描述 生产厂家 企业 LOGO 操作
G080N10M

N-Channel Enhancement Mode Power MOSFET

Description The G080N10M uses advanced trench technology to provide excellent RDS(ON) , low gate charge. It can be used in a wide variety of applications. Application l Power switch l DC/DC converters

GOFORD

谷峰半导体

G080N10T

N-Channel Enhancement Mode Power MOSFET

Description The G080N10T uses advanced trench technology to provide excellent RDS(ON) , low gate charge. It can be used in a wide variety of applications. Application l Power switch l DC/DC converters

GOFORD

谷峰半导体

GT080N10K

N-Channel Enhancement Mode Power MOSFET

Description The GT080N10K uses advanced trench technology to provide excellent RDS(ON) , low gate charge. It can be used in a wide variety of applications. Application l Power switch l DC/DC converters

GOFORD

谷峰半导体

GT080N10KA

N-Channel Enhancement Mode Power MOSFET

Description The GT080N10KA uses advanced trench technology to provide excellent RDS(ON) , low gate charge. It can be used in a wide variety of applications. AEC-Q101 Qualified Application l Power switch l DC/DC converters

GOFORD

谷峰半导体

GT080N10M

N-Channel Enhancement Mode Power MOSFET

Description The GT080N10M uses advanced trench technology to provide excellent RDS(ON) , low gate charge. It can be used in a wide variety of applications. Application l Power switch l DC/DC converters

GOFORD

谷峰半导体

HGD080N10A供应商更多...

更新时间：2025-12-27 23:01:01
IC供应商 芯片型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
深圳市得捷芯城科技有限公司
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深圳市南科功率半导体有限公司
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