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HFA3127BZ96

Ultra High Frequency Transistor Arrays

Features • NPN transistor (fT) . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 8GHz • NPN current gain (hFE) . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 130 • NPN early voltage (VA). . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 50V • PNP transistor (fT) . . . . . . . . . . . . . . . .

RENESAS

瑞萨

HFA3127BZ96

封装/外壳:16-SOIC(0.154",3.90mm 宽) 包装:托盘 描述:RF TRANS 5 NPN 12V 8GHZ 16SOIC 分立半导体产品 晶体管 - 双极(BJT)- 射频

ETC

知名厂家

HFA3127BZ96产品属性

  • 类型

    描述

  • 型号

    HFA3127BZ96

  • 功能描述

    射频双极小信号晶体管 W/ANNEAL TXARRAY 5X NPN 16N MILEL

  • RoHS

  • 制造商

    NXP Semiconductors

  • 配置

    Single

  • 晶体管极性

    NPN

  • 最大工作频率

    7000 MHz 集电极—发射极最大电压

  • VCEO

    15 V 发射极 - 基极电压

  • VEBO

    2 V

  • 集电极连续电流

    0.15 A

  • 功率耗散

    1000 mW 直流集电极/Base Gain hfe

  • 最大工作温度

    + 150 C

  • 封装/箱体

    SOT-223

  • 封装

    Reel

更新时间:2025-8-8 13:28:00
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