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iscN-ChannelMOSFETTransistor

FEATURES ·DrainCurrent:ID=13.8A@TC=25℃ ·DrainSourceVoltage :VDSS=650V(Min) ·StaticDrain-SourceOn-Resistance :RDS(on)=0.28Ω(Max)@VGS=10V ·100avalanchetested ·MinimumLot-to-Lotvariationsforrobustdevice performanceandreliableoperation DESCRIPTION ·motordrive,DC

ISCInchange Semiconductor Company Limited

无锡固电无锡固电半导体股份有限公司

ISC

650V0.28ohmN-channelMOSFET

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MGCHIP

MagnaChip Semiconductor.

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650V0.28ohmN-channelMOSFET

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MagnaChip Semiconductor.

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650VSuper-JunctionPowerMOSFET

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WUMCWuxi Unigroup Microelectronics Company

紫光微无锡紫光微电子有限公司

WUMC
更新时间:2024-6-11 17:20:01
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